Полевые МОП-транзисторы — купить со склада и под заказ
Категория
В каталоге ЭЛ-СИРИУС — 383 наименований категории «Полевые МОП-транзисторы» от ведущих производителей. Проверка наличия и цены онлайн по партномеру (MPN), поставка со склада и под заказ, доставка по России и СНГ. Работаем с юридическими лицами и частными покупателями.
| Фото | Партномер (MPN) | Производитель | Описание | Цена | Наличие |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002 | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 7,5 Ом | 3,34 ₽ | Под заказ |
| 2N7002 Транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
2N7002,215 | Nexperia | МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2,8 Ом, корпус SOT-23 | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002BKS,115 | Nexperia | МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 0,3 А, автомобильное исполнение, корпус TSSOP-6 | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002DW | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом | 5,85 ₽ | Под заказ |
| 2N7002DW H6327 | — | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, корпус SOT363 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW K72 | Changjiang Electronics | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 115 мА, мощность 200 мВт, корпус SOT-363 | по запросу | Под заказ | |
 |
2N7002DW-7-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 3,34 ₽ | Под заказ |
| 2N7002DW-7-F-JSM | — | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-7-F-MS | MSKSemi Semiconductors | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала 1.8 Ом при 10 В, корп | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-7-F-VB | VBsemi | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-7-G | Diodes Inc. | Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-JSM | — | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO | по запросу | Под заказ | |
 |
2N7002DW-TP | MCC | Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363 | 5,85 ₽ | Под заказ |
| 2N7002DW-TP-VB | VBsemi | Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление канала 2000 мОм при 1 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-VB | VBsemi | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW1T1G | onsemi | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DWH6327 | JGSEMI | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DWH6327-MS | MSKSemi Semiconductors | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала 1.8 Ом при 10 В, корп | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DWH6327XT | Infineon | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD | по запросу | Под заказ | |
 |
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon | Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363 | 10,03 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002DWK-7 | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363 | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002DWQ-13-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002DWQ-7-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 10,03 ₽ | Под заказ |
| 2N7002DWQ-7-F-VB | VBsemi | Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление канала 2000 мОм при 1 | по запросу | Под заказ | |
 |
2N7002DWS-7 | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 11,70 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002K-7 | Diodes Inc. | МОП-транзистор Diodes Inc. серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2 Ом | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002K-T1-GE3 | Vishay | МОП-транзистор Vishay серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, Rds(on) 2 Ом, заряд затвора 0,6 нКл, корпус SOT-23 | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
2N7002T | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 115 мА, Rds(on) 2 Ом | 30,10 ₽ | Под заказ |
 |
2SK3018 | Goodwork | МОП-транзистор Goodwork, применяется для силовой коммутации и управления сигналом | 0,84 ₽ | Под заказ |
| 2SK4207 | — | МОП-транзистор (MOSFET) 2SK4207, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| 8205A | Tech Public | МОП-транзистор (MOSFET, сдвоенный) 8205A, Tech Public, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| DS2782E-C3+T&R | Analog Devices | Индикатор заряда Li-Ion/Li-Pol аккумулятора, корпус TSSOP-8, лента. | 1 432,90 ₽ | Под заказ | |
| AO3400 | JSMICRO | N-канальный MOSFET AO3400, ток стока 5.8 А, напряжение сток-исток 30 В, корпус SOT-23 | 1,67 ₽ | Под заказ | |
| AO3400-ED | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) AO3400, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
| AO3400-HXY | HXY MOSFET | N-канальный MOSFET AO3400, напряжение 30 В, ток 5.8 А, сопротивление канала 35 мОм при 10 В, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
AO3400A | Alpha & Omega Semiconductor | N-канальный MOSFET, 30 В, ток 5,7 А, корпус SOT-23. | 5,85 ₽ | Под заказ |
| AO3401 | Alpha & Omega Semiconductor | P-канальный MOSFET AO3401, напряжение 30 В, ток 4 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
| AO3401-ED | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) AO3401, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
AO3407A | Alpha & Omega Semiconductor | P-канальный MOSFET, 30 В, ток 4,3 А, корпус SOT-23. | 10,87 ₽ | Под заказ |
 |
AO4485 | Alpha & Omega Semiconductor | P-канальный MOSFET, 40 В, ток 10 А, корпус SOIC-8, лента. | 55,18 ₽ | Под заказ |
 |
AO4629 | Alpha & Omega Semiconductor | Сдвоенный MOSFET N/P-канал, 30 В, ток 6/5,5 А, корпус SOIC-8. | 11,70 ₽ | Под заказ |
| AO6800-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) AO6800, HXY MOSFET, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
APT5010JVR | Microchip | N-канальный силовой MOSFET, 500 В, ток 44 А, корпус SOT-227, туба. | 4 201,74 ₽ | Под заказ |
 |
AUIRF540Z | Infineon | N-канальный силовой MOSFET Infineon HEXFET AUIRF540Z, автомобильный (Q101), 100 В, корпус TO-220AB | 126,24 ₽ | Под заказ |
| AUIRF540Z-VB | VBsemi | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
 |
AUIRF540ZPBF | JSMICRO | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при 10 В, | 37,62 ₽ | Под заказ |
| AUIRF540ZPBF-JSM | — | МОП-транзистор (автомобильный, MOSFET) AUIRF540Z, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| AUIRF540ZPBF-VB | VBsemi | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
 |
AUIRF540ZSTRL | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, 100 В, ток 36 А, автомобильное исполнение, корпус D2PAK, лента. | 8 359,16 ₽ | Под заказ |
| AUIRF540ZXKMA1-VB | VBsemi | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
 |
AUIRF7640S2TR | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 5,8 А, автомобильное исполнение, корпус Direct-FET 6 выводов, лента. | 57,68 ₽ | Под заказ |
| B100NF03L-VB TO263 | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 150 А, сопротивление канала 2.3 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| B100NF04 | JSMICRO | МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO B100NF04, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| B100NF04-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм при 10 В, корпус TO2 | по запросу | Под заказ | |
 |
BIG MOSFET SLIDE SWITCH HP | Pololu | Слайдовый переключатель (SPDT) Pololu, для больших MOSFET-плат, версия HP | по запросу | Под заказ |
 |
BIG MOSFET SLIDE SWITCH MP | Pololu | Слайдовый переключатель (SPDT) Pololu, для больших MOSFET-плат, версия MP | по запросу | Под заказ |
 |
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TDSON, SMD. | 144,63 ₽ | Под заказ |
| BSC034N10LS5ATMA1-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LS G | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LS G-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус DFN | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LSG | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал | по запросу | Под заказ | |
|
BSC050N03LSG-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус DFN | 21,74 ₽ | Под заказ |
| BSC050N03LSGA | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8. | 38,46 ₽ | Под заказ |
| BSC050N03LSGATMA1-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LSGATMA1-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мОм при 10 В, корпус DF | по запросу | Под заказ | |
 |
BSS123 | onsemi | N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23. | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
BSS138 | onsemi | N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка. | 2,51 ₽ | Под заказ |
| BSS138 транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
BSS138-7-F | Diodes Inc. | N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-23-3. | 7,52 ₽ | Под заказ |
 |
BSS138-TP | MCC | N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23. | 0,84 ₽ | Под заказ |
|
BSS138DW | Goodwork | N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
BSS84 | onsemi | P-канальный маломощный переключающий MOSFET, напряжение 50 В, ток 0,13 А, корпус SOT-23. | 5,02 ₽ | Под заказ |
| BSZ16DN25NS3G | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSZ16DN25NS3G, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 10,9 А, корпус PG-TSDSON-8. | 86,11 ₽ | Под заказ |
| BSZ42DN25NS3G | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSZ42DN25NS3G, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 5 А, корпус PG-TSDSON-8. | 56,85 ₽ | Под заказ |
| BSZ900N20NS3 G | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал | по запросу | Под заказ | |
|
BSZ900N20NS3 G-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мОм при 10 В, корпус DF | 53,50 ₽ | Под заказ |
| BSZ900N20NS3G | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon | N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8. | 78,58 ₽ | Под заказ |
|
BSZ900N20NS3GATMA1-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм | 53,50 ₽ | Под заказ |
| CJ3401 | Plingsemic | Сдвоенный P-канальный MOSFET, напряжение 12 В, ток 4.2 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
| CS10N60A2 | — | МОП-транзистор (MOSFET) CS10N60A2, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| CS10N60A8HD-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 18 А, сопротивление канала 430 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| CS10N65FA9HD | — | МОП-транзистор (MOSFET) CS10N65FA9HD, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| CS10N70A8 | — | МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70A8, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| CS10N70FA9R | Wuxi | МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70FA9R, Wuxi, N-канал, 700 В | по запросу | Под заказ | |
| CS10N80F | JSMICRO | МОП-транзистор (MOSFET) CS10N80F, JSMICRO, N-канал, 800 В | по запросу | Под заказ | |
|
CS10N80FA9D | VBsemi | N-канальный высоковольтный MOSFET VBsemi, напряжение 850 В, ток 10 А, сопротивление канала 1150 мОм при 10 В | 98,65 ₽ | Под заказ |
 |
CSD16401Q5 | Texas Instruments | N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-CLIP. | 142,96 ₽ | Под заказ |
| CSD16401Q5-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 мОм при 10 В, корпус Q | по запросу | Под заказ | |
| CSD16401Q5(ES) | — | МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
CSD16401Q5T | Texas Instruments | N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-CLIP. | 135,43 ₽ | Под заказ |
 |
DMG4466SSS-13 | Diodes Inc. | N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус SOIC. | 25,92 ₽ | Под заказ |
 |
DMG4496SSS-13 | Diodes Inc. | N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,42 Вт, корпус SOIC-8. | 25,08 ₽ | Под заказ |
 |
DMP4050SSS-13 | Diodes Inc. | P-канальный силовой MOSFET, 40 В, ток 4,4 А, сопротивление канала 0,038 Ом, корпус SOIC. | 62,70 ₽ | Под заказ |
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Inc. | N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2020. | 28,42 ₽ | Под заказ |
 |
DMN6040SSD-13 | Diodes Inc. | Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента. | 36,78 ₽ | Под заказ |
 |
DMN62D0U-7 | Diodes Inc. | N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23. | 7,52 ₽ | Под заказ |
 |
FDS5670 | onsemi | Транзистор MOSFET N-канальный PowerTrench, 60 В, ток 10 А, сопротивление канала 14 мОм | 203,15 ₽ | Под заказ |
 |
FDS86140 | onsemi | Транзистор MOSFET N-канальный PowerTrench, 100 В, сопротивление канала 17 мОм, заряд затвора 41 нКл, мощность | 115,37 ₽ | Под заказ |
| H2N7002DW7F | HXY MOSFET | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, HXY MOSFET, корпус SOT363 | по запросу | Под заказ | |
| H2N7002DWS7 | HXY MOSFET | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, HXY MOSFET, корпус SOT363, лента | по запросу | Под заказ | |
| 2N3955A | NJS | Биполярный транзистор NJS малой мощности | 1 404,48 ₽ | Под заказ | |
 |
HD2305 | High diode | Транзистор MOSFET P-канальный, 12 В, ток 3,5-4,1 А, сопротивление канала 45 мОм, корпус SOT-23 | 1,67 ₽ | Под заказ |
| IRLML2803 | Hottech | Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-23 | 1,67 ₽ | Под заказ | |
| IPW60R041P6 | Inchange Semiconductor | МОП-транзистор (MOSFET) Inchange Semiconductor IPW60R041P6, N-канал, корпус TO-247 | по запросу | Под заказ | |
 |
AUIRFU8403 | Infineon | Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус IPAK. | 76,91 ₽ | Под заказ |
 |
BSC042N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8. | 24,24 ₽ | Под заказ |
 |
BSC100N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8. | 51,83 ₽ | Под заказ |
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 12 мОм, заряд затвора 15 нКл, корпус TDSON-8. | 21,74 ₽ | Под заказ |
 |
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon | Сдвоенный N-канальный MOSFET в одном корпусе, 30 В, ток 7,7 А, корпус DSO-8, лента. | 35,95 ₽ | Под заказ |
 |
BSP149L6327 | Infineon | N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-223, лента. | 30,10 ₽ | Под заказ |
| BSP149L6327HTSA1 | Infineon | N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента. | 8 359,16 ₽ | Под заказ | |
| BSP149L6327XT | Infineon | N-канальный MOSFET Infineon BSP149L, 200 В, ток 0.66 А, корпус SOT-223 | по запросу | Под заказ | |
 |
BSS88E6296 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 240 В, ток 0,25 А, корпус TO-92 | 34,28 ₽ | Под заказ |
 |
BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, корпус TSDSON-8. | 28,42 ₽ | Под заказ |
 |
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, корпус TSDSON-8. | 17,56 ₽ | Под заказ |
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, корпус TSDSON-8. | 40,96 ₽ | Под заказ |
 |
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, автомобильное исполнение AEC-Q101, ток 70 А, корпус PG-TDSON-8 | 72,73 ₽ | Под заказ |
 |
IPB60R099CPATMA1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 650 В, ток 31 А, сопротивление канала 0,09 Ом, корпус TO-263 (D2PAK) | 353,63 ₽ | Под заказ |
 |
IPW60R041P6FKSA1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный CoolMOS P6, 600 В, ток 77,5 А, корпус TO-247-3 | 782,50 ₽ | Под заказ |
 |
IRF3205SPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK | 180,58 ₽ | Под заказ |
 |
IRF3205STRLPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK | 107,84 ₽ | Под заказ |
| IRF3205STRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK | 42,64 ₽ | Под заказ | |
 |
IRF3205STRRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK | 173,05 ₽ | Под заказ |
 |
IRF6201PBF | Infineon | Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, логическое управление | 45,98 ₽ | Под заказ |
 |
IRF6201TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8 | 84,44 ₽ | Под заказ |
 |
IRF6646TR1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов) | 120,38 ₽ | Под заказ |
 |
IRF6646TR1PBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов) | 334,40 ₽ | Под заказ |
 |
IRF6646TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 50 нКл, корпус DirectF | 88,62 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7105 | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8 | по запросу | Под заказ |
 |
IRF7105PBF | Infineon | Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8 | 58,52 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7105QPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8 | 34,28 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7105QTRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8 | 30,10 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7105TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8 | 45,98 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7105TRPBF-1 | Infineon | Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента | по запросу | Под заказ |
 |
IRFH5053TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, заряд затвора 24 нКл, корпус PQFN 5× | 75,24 ₽ | Под заказ |
 |
IRL2203NPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, сопротивление канала 7 мОм, заряд затвора 60 нКл, корпус TO-220-3 | 49,32 ₽ | Под заказ |
 |
IRL520NS | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 10 А, корпус D2PAK | 91,96 ₽ | Под заказ |
 |
IRL520NSPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,18 Ом, ток 10 А, корпус D2PAK | 93,63 ₽ | Под заказ |
 |
IRL520NSTRL | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK | 43,47 ₽ | Под заказ |
 |
IRL520NSTRLPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3 | 41,80 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML2803GTRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3 | 17,56 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML2803TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус MICRO3 | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML2803TRPBF-1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 250 мОм, логический уровень, корпус SOT-2 | 8 359,16 ₽ | Под заказ |
 |
SPD02N50C3 | Infineon | N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK | по запросу | Под заказ |
 |
SPD02N50C3BTMA1 | Infineon | N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, корпус TO-252 | по запросу | Под заказ |
| SPD02N50C3XT | Infineon | N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252 | по запросу | Под заказ | |
| TZ240N36KOFS1 | Infineon | Кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) Infineon серии TZ240N36 | по запросу | Под заказ | |
|
TZ240N36KOFS1HPSA1 | Infineon | N-канальный силовой MOSFET Infineon, напряжение 40 В, ток 75 А, корпус LFPAK | по запросу | Под заказ |
|
TZ240N36KOFS2HPSA1 | Inchange Semiconductor | N-канальный силовой MOSFET Inchange Semiconductor, напряжение 40 В, ток 35.3 А, корпус LFPAK | 2 437,78 ₽ | Под заказ |
| AUIRFU8403-701TRL | Rochester Electronics | Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, ток 100 А, корпус TO-251AA, лента. | 76,91 ₽ | Под заказ | |
 |
IRF3205S | TT Electronics | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK | 54,34 ₽ | Под заказ |
 |
IRF3205STRL | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK | 42,64 ₽ | Под заказ |
| IRF3205STRLPBFG | International Rectifier | МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (лента) | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF7105TR | International Rectifier | Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8 | 8 359,16 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML2803PBF | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23 | 8 359,16 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML2803TR | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3 | 28 459,11 ₽ | Под заказ |
| IRLML2803TRHR | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23 | 814,26 ₽ | Под заказ | |
 |
IRF4905PBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 200 Вт, корпус TO-220A | 140,45 ₽ | Под заказ |
 |
IRF540 | STMicroelectronics | Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220 | 436,39 ₽ | Под заказ |
 |
IRF540A | onsemi | N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB | по запросу | Под заказ |
| IRF540APBF | JSMICRO | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540APBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540APBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540FI | ISC Semi | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-220/TO-220FI | 18,39 ₽ | Под заказ |
| IRF540FI-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540FI, JSMICRO, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| IRF540FI-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540N | VBsemi | Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB | 68,55 ₽ | Под заказ |
| IRF540N-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, HXY MOSFET, N-канал, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540N-MNS | Minos | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, Minos, N-канал, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540N-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF540N(UMW) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NL | Harris | N-канальный силовой MOSFET, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление канала 0.044 Ом, корпус TO-262AA | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NL-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, корпус TO262 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540NLPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130 Вт, корпус TO-262 | 60,19 ₽ | Под заказ |
|
IRF540NPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130 Вт, корпус TO-220AB | 68,55 ₽ | Под заказ |
| IRF540NPBF транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, N-канал | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NPBF-ES | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NPBF, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NPBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NS | TT Electronics | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, TT Electronics, N-канал, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NS-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, JSMICRO, N-канал | по запросу | Под заказ | |
|
IRF540NS-MNS | Minos | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, Minos, N-канал, корпус TO-220 | 12,54 ₽ | Под заказ |
| IRF540NS-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540NSPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, сопротивление канала 44 мОм, корпус D2PAK | 107,84 ₽ | Под заказ |
| IRF540NSTRL | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRL(UMW) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, UMW, N-канал, корпус TO-220, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRLPB | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPB, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540NSTRLPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, корпус D2PAK | 111,19 ₽ | Под заказ |
| IRF540NSTRLPBF транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRL, N-канал, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRLPBF-OSEN | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPBF, N-канал, лента, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRLPBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRPBF | VBsemi | Силовой полевой транзистор IRF540N VBsemi, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление канала 0.044 Ом, N-каналь | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540NSTRPBF-VB | VBsemi | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм, корпус TO-263 | 44,31 ₽ | Под заказ |
| IRF540NSTRRPB | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRRPB, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540NSTRRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, сопротивление канала 44 мОм, корпус D2PAK | 35,11 ₽ | Под заказ |
| IRF540NSTRRPBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, одноканальный, корпус TO263 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540PBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,077 Ом, фланцевый монтаж, корпус TO-220-3 | 193,95 ₽ | Под заказ |
| IRF540PBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF540, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRF540PBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540 VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO2 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540S | Vishay | N-канальный TrenchMOS-транзистор Vishay IRF540S, 100 В, ток 28 А, корпус D2PAK | по запросу | Под заказ |
| IRF540S-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET (trench) IRF540S VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540SPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3 | 167,20 ₽ | Под заказ |
 |
IRF540STRLPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3 | 163,86 ₽ | Под заказ |
 |
IRF540ZL | Inchange Semiconductor | N-канальный MOSFET Inchange Semiconductor IRF540ZL, 100 В, Rds(on) 21 мОм, ток 36 А, корпус TO-262, 92 Вт | по запросу | Под заказ |
|
IRF540ZLPBF | Infineon | N-канальный MOSFET Infineon IRF540ZL, 100 В, Rds(on) 21 мОм, ток 36 А, корпус TO-262, 92 Вт | по запросу | Под заказ |
| IRF540ZP | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 18 мОм при 10 В, к | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540ZPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, 36 А, сопротивление канала 21 мОм, корпус TO-220AB | 65,21 ₽ | Под заказ |
| IRF540ZPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при 10 В, к | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF540ZS | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 36 А, мощность 92 Вт, корпус D2PAK | 3 277,12 ₽ | Под заказ |
| IRF540ZSTRPBF | VBsemi | N-канальный MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 18 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF640NS | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF640SPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK | 101,16 ₽ | Под заказ |
 |
IRF640STRLPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3 | 57,68 ₽ | Под заказ |
| IRF640STRLPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF640STRRPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3 | 56,01 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7103TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8 | 55,18 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7342TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом, корпус SO-8 | 27,59 ₽ | Под заказ |
 |
IRF9540NPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 0,117 Ом, заряд затвора 97 нКл, корпус TO-22 | 73,57 ₽ | Под заказ |
 |
IRF9640SPBF | Vishay | Транзистор MOSFET P-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,5 Ом, корпус D2PAK-3 | 222,38 ₽ | Под заказ |
 |
IRF9640STRLPBF | Vishay | Транзистор MOSFET P-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,5 Ом, корпус D2PAK-3 | 204,82 ₽ | Под заказ |
 |
IRF9640STRLPBF-VB | VBsemi | Транзистор MOSFET P-канальный, -200 В, -11 А, сопротивление канала 0,50 Ом | 35,11 ₽ | Под заказ |
| IRF9640STRPBF | JSMICRO | МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640, JSMICRO, P-канал, корпус TO-220, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRF9640STRPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640STRPBF, JSMICRO, P-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRFR3806 | Infineon | Силовой полевой транзистор Infineon IRFR3806 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRL640S | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay | 49,32 ₽ | Под заказ |
| IRL640S-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
 |
IRL640SPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3, Vishay | 245,78 ₽ | Под заказ |
 |
IRL640STRLPBF | Vishay | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3 | 102,83 ₽ | Под заказ |
| IRL640STRLPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRL640STRLPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLML0030TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5,3 А, сопротивление канала 27 мОм, корпус SOT-23 | 19,23 ₽ | Под заказ |
| IRLML2402 | Hottech | N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, мощность 0.54 Вт, корп | по запросу | Под заказ | |
| IRLML2402TRPBF | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLML2502G | VBsemi | Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23 | 22,57 ₽ | Под заказ |
| IRLML2502G-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5 В, корпус SOT23-3 | по запросу | Под заказ | |
|
IRLML2502GTRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3 | 22,57 ₽ | Под заказ |
| IRLML2502GTRPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2502GTRPBF, JSMICRO, N-канал, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRLML2502GTRPBF-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5 В, корпус SOT23-3 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLML2502TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 12 В, ток 4,3 А, сопротивление канала 0,05 Ом, корпус SOT-23 | 34,28 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML5103TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток 610 мА, сопротивление канала 600 мОм | 16,72 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML5203TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток -3 А, сопротивление канала 98 мОм, корпус MICRO3 | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML6302TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -20 В, ток -780 мА, корпус SOT-23 | 29,26 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML6344TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5 А, сопротивление канала 29 мОм, корпус SOT-23 | 19,23 ₽ | Под заказ |
| IRLML6344TRPBF-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) IRLML6344, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23, лента (RoHS) | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLML6402 | Slkor | P-канальный MOSFET Slkor IRLML6402, 20 В, сопротивление 3.5 Ом при 5 В, ток 3.7 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
IRLZ44N | ISC Semi | Транзистор MOSFET N-канальный | 74,40 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44N(UMW) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, UMW, N-канал, логический уровень, корпус TO-220 | 19,23 ₽ | Под заказ |
 |
IRLZ44NL | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, ток 47 А, сопротивление канала 22 мОм, корпус TO-262 | 130,42 ₽ | Под заказ |
| IRLZ44NL-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, корпус TO262 | по запросу | Под заказ | |
|
IRLZ44NLPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, корпус TO-262 | 53,50 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, ток 47 А, сопротивление канала 22 мОм, корпус TO-220AB | 74,40 ₽ | Под заказ |
| IRLZ44NPBF-HXY | HXY MOSFET | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, HXY MOSFET, N-канал, логический уровень, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NPBF, JSMICRO, N-канал, логический уровень, RoHS | по запросу | Под заказ | |
|
IRLZ44NPBF-MNS | Minos | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, Minos, N-канал, логический уровень, корпус TO-220 | 11,70 ₽ | Под заказ |
| IRLZ44NPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 24 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLZ44NS | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK | 54,34 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NS-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В | 25,08 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NSNL-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В | 25,08 ₽ | Под заказ |
| IRLZ44NSPBF | Infineon | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N Infineon, напряжение 55 В, ток 47 А, сопротивление канала 0.022 Ом, корпус | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, корпус TO-263 | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRL | Infineon | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение 55 В, ток 47 А, корпус D2PAK, лента | по запросу | Под заказ | |
|
IRLZ44NSTRL(UMW) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, UMW, N-канал, логический уровень, лента | 16,72 ₽ | Под заказ |
| IRLZ44NSTRLPBF | Infineon | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N Infineon, напряжение 55 В, ток 47 А, сопротивление канала 0.022 Ом, корпус | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRLPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSTRLPBF, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRLPBF-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канала 11 мОм при 10 В, ко | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRR | Infineon | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение 55 В, ток 47 А, корпус D2PAK, лента | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRR-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канала 11 мОм при 10 В, ко | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRRPBF-JSM | — | МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSTRRPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS | по запросу | Под заказ | |
 |
IXFN110N85X | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B | 6 367,81 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN132N50P3 | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT-227 | 3 865,66 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN140N30P | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпус SOT-227B | 3 553,84 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN180N25T | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B | 2 798,09 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN20N120P | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B | 1 778,17 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN210N20P | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, корпус TO-227B | 3 537,95 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN210N30P3 | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B | 3 614,86 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN210N30X3 | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC) | 3 610,68 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN360N10T | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B | 2 482,08 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN40N110Q3 | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B | 1 982,16 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN420N10T | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300 В, корпус SOT-227B | 2 485,43 ₽ | Под заказ |
 |
IXFN66N85X | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B | 3 901,61 ₽ | Под заказ |
| JCS10N60CT-O-C-N-B-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
|
JCS10N60FT-O-F-N-B-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | 39,29 ₽ | Под заказ |
| JCS10N60FT-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N60T-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N65CT-O-C-N-B-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N65FT-O-F-N-B-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
|
JCS10N65FT-R-F-N-B-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В, корпус TO-220F | 39,29 ₽ | Под заказ |
| JCS10N65FT-VB | VBsemi | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
 |
L2N7002DW1T1G | Leshan Radio Co. | Сдвоенный N-канальный MOSFET Leshan Radio, 20 В, сопротивление 7.5 Ом, корпус SC-88 | по запросу | Под заказ |
| L2N7002DW1T1G-MS | MSKSemi Semiconductors | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала 1.8 Ом при 10 В, корп | по запросу | Под заказ | |
|
ME2N7002DW-VB | VBsemi | N-канальный MOSFET, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2000 мОм при 4.5 В | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
DN2450K4-G | Microchip | N-канальный MOSFET, 500 В, ток 350 мА, мощность 2,5 Вт, корпус TO-252 (DPAK). | 62,70 ₽ | Под заказ |
 |
MMFTP3401 | Diotec | P-канальный MOSFET Diotec MMFTP3401, -30 В, ток -4 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
О категории «Полевые МОП-транзисторы»
Полевые МОП-транзисторы (MOSFET) Infineon, Vishay, onsemi и VBsemi — около 350 позиций: N- и P-канальные, от милливаттных ключей в SOT-23 до силовых модулей в TO-247 на сотни ампер. Серии OptiMOS, StrongIRFET, SiHx в наличии и под заказ.
Основные критерии выбора — напряжение сток-исток (20–1200 В), сопротивление открытого канала Rds(on), заряд затвора и корпус. Для импульсных источников питания рекомендуем транзисторы с малым Qg, для линейных схем — с расширенной областью безопасной работы (SOA). Все характеристики — в таблицах на карточках, документация прилагается.