2N7002DWH6327XT — купить, цена, наличие
| Наименование: | 2N7002DWH6327XT |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011304 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
Сдвоенный N-канальный полевой МОП-транзистор 2N7002DWH6327XT производства Infineon выполнен в компактном корпусе SOT-363, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Компонент подходит для использования в цепях с низкими напряжениями благодаря своим характеристикам.
Отличие сдвоенных MOSFET, таких как данный транзистор, от одиночных заключается в наличии двух независимых каналов в одном корпусе, что позволяет экономить место на плате и упрощает проектирование схем. Сдвоенные транзисторы часто применяются в источниках питания, драйверах светодиодов и схемах управления нагрузкой, где требуется управление двумя независимыми нагрузками в компактном форм-факторе.
| Корпус | SOT-363 |
| Постоянный ток стока (ID) | 300 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 1.6 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 3.1 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.1 mm |
| Входная ёмкость | 13 pF |
| Длина | 2 mm |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Время нарастания | 3.3 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 5.5 ns |
| Время задержки включения | 3 ns |
| Ширина | 1.25 mm |
| Документ | Скачать | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом
- 2N7002DW H6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, корпус SOT363
- 2N7002DW K72 — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 115 мА, мощность 200 мВт, кор…
- 2N7002DW-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO