2N7002DW — купить, цена, наличие

MPN 2N7002DW · onsemi
Наименование:2N7002DW
Производитель:onsemi
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:011274
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 3.34 ₽ Ориентир, на 12.10.2026. Точная цена — в счёте

МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом

Это N-канальный полевой транзистор типа MOSFET производства компании onsemi, выполненный по технологии режима обогащения. Он обладает номинальным напряжением сток-исток 60 В, максимальным током стока 0,115 А и сопротивлением канала в открытом состоянии (Rds(on)) равным 2 Ом. Компонент предназначен для использования в цепях переключения и линейного усиления, обеспечивая эффективное управление нагрузкой в слаботочных схемах.

Отличие данного MOSFET от близких по назначению биполярных транзисторов заключается в более низком уровне энергопотребления и высокой скоростью переключения. Благодаря низкому Rds(on)), он подходит для приложений, требующих эффективного управления мощностью в маломощных цепях. Его выбирают для задач, где важны компактные размеры, низкое энергопотребление и простота схемы управления.

КорпусSC
China RoHSСоответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)115 mA
Напряжение пробоя сток-исток78 V
Сопротивление сток-исток2 Ω
Напряжение сток-исток (Vdss)60 V
Конфигурация элементовСдвоенный
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота1.1 mm
Входная ёмкость50 pF
Дата выпуска2007-10-08
Без свинцаБез свинца
Длина2 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Максимальная температура перехода150 °C
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность200 mW
Мин. напряжение пробоя60 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs1.76 V
Количество каналов2
Число элементов2
Число выводов6
УпаковкаОтрезок ленты
Рассеиваемая мощность200 mW
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.7.5 Ω
REACH SVHCДа
Сопротивление7.5 Ω
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541210080
Пороговое напряжение1.76 V
Время задержки выключения12.5 ns
Время задержки включения5.85 ns
Масса28 mg
Ширина1.25 mm
ДокументСкачать
DatasheetСкачать (6 стр.)
Technical DrawingСкачать (1 стр.)
DatasheetСкачать
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»