2N7002DW-TP — купить, цена, наличие
| Наименование: | 2N7002DW-TP |
| Производитель: | MCC |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011282 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
Полевой МОП-транзистор MCC 2N7002DW-TP представляет собой сборку из двух параллельно соединённых N-канальных транзисторов, размещённых в миниатюрном корпусе SOT-363. Этот компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и способен пропускать постоянный ток до 115 мА при мощности рассеяния 200 мВт.
Устройство применяется в схемах управления маломощными нагрузками, таких как светодиодные индикаторы, реле и переключатели сигналов. Также используется в схемах защиты и ограничения тока, например, в зарядных устройствах малой мощности и системах мониторинга напряжения. Благодаря низкому сопротивлению канала в открытом состоянии, он подходит для слаботочных цифровых интерфейсов и логических схем.
| Корпус | SOT-363 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 340 mA |
| Номинальный ток | 115 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 3 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Входная ёмкость | 50 pF |
| Дата выпуска | 2006-05-05 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Rds(on) макс. | 7.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 11 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Пороговое напряжение | 1.5 V |
| Время задержки выключения | 11 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 70 V |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (2 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (6 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (4 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом
- 2N7002DW H6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, корпус SOT363
- 2N7002DW K72 — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 115 мА, мощность 200 мВт, кор…
- 2N7002DW-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента