Купить транзисторы — со склада и под заказ
ЭЛ-СИРИУС поставляет транзисторы всех основных типов: полевые МОП-транзисторы (MOSFET) Infineon, Vishay и onsemi, биполярные NPN/PNP, IGBT-модули для силовой электроники и фототранзисторы. Около 500 позиций — от сигнальных ключей в SOT-23 до силовых модулей на сотни ампер. Подбираем аналоги по напряжению, току и корпусу: пришлите партномер — предложим замену из наличия. Поставка со склада в Раменском и под заказ, доставка по России и СНГ.
Типы транзисторы в каталоге
транзисторы в наличии и под заказ
| Фото | Партномер (MPN) | Производитель | Описание | Цена |
|---|---|---|---|---|
 |
10007632 | Fischer Elektronik | Зажим для транзистора Fischer Elektronik THFA 3, для теплоотвода. | 0,31 ₽ |
 |
10007633 | Fischer Elektronik | Прижимная клипса Fischer Elektronik для транзисторов, серия THFA 4 | 1,25 ₽ |
 |
2N2222 | STMicroelectronics | Биполярный транзистор STMicroelectronics 2N2222, NPN, кремниевый, Uceo 30 В, Ic 0,8 А, Pd 1,8 В | 53,50 ₽ |
|
2N2222 1P-TD(0.26) | STMicroelectronics | Транзистор биполярный NPN переключающий, 30 В, ток 0,8 А, мощность 1,8 Вт, корпус TO-18 | 53,50 ₽ |
 |
2N2222A | Microchip | Биполярный транзистор Microchip 2N2222A, NPN, выводной монтаж | 227,39 ₽ |
 |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor | Биполярный транзистор Central Semiconductor 2N2222A, NPN, усилитель/ключ, 40 В, 800 мА, корпус | 117,88 ₽ |
 |
2N2222AUB | Microchip | Биполярный транзистор Microchip 2N2222, NPN, поверхностный монтаж | 444,75 ₽ |
 |
2N3904 (DC:2003/31) | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности NPN 2N3904, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 1,67 ₽ |
|
2N3904 100-150 | EVVOSEMI | Транзистор биполярный малой мощности NPN 2N3904, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 1,67 ₽ |
|
2N3904 200-250 | EVVOSEMI | Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 1,67 ₽ |
 |
2N3904BU | onsemi | Транзистор биполярный NPN, 40 В, ток 200 мА, мощность 625 мВт, корпус TO-92, выводной монтаж | 2,51 ₽ |
 |
2N3904G | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения 2N3904, 40 В, ток 200 мА, мощность 1,5 Вт, корпус T | 4,18 ₽ |
 |
2N3904TA | onsemi | Биполярный транзистор малой мощности NPN, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 2,51 ₽ |
 |
2N3904TFR | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения, ток 200 мА, напряжение 40 В | 4,18 ₽ |
| 2N3955 | Solid State Manufacturing | Полевой транзистор (JFET) Solid State Manufacturing, N-канальный, кремниевый, корпус TO-71 | 627,00 ₽ | |
| 2N3955A | NJS | Биполярный транзистор NJS малой мощности | 1 404,48 ₽ | |
 |
2N6388G | onsemi | Составной транзистор Дарлингтона onsemi, NPN, 80 В, 10 А | 30,10 ₽ |
 |
2N7002 | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 7,5 Ом | 3,34 ₽ |
 |
2N7002,215 | Nexperia | МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2,8 Ом, корпус SOT-23 | 0,84 ₽ |
 |
2N7002BKS,115 | Nexperia | МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 0,3 А, автомобильное исполнение, корпус TSSOP-6 | 3,34 ₽ |
 |
2N7002DW | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом | 5,85 ₽ |
 |
2N7002DW-7-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 3,34 ₽ |
 |
2N7002DW-TP | MCC | Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363 | 5,85 ₽ |
 |
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon | Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363 | 10,03 ₽ |
 |
2N7002DWK-7 | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363 | 6,69 ₽ |
 |
2N7002DWQ-13-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 5,85 ₽ |
 |
2N7002DWQ-7-F | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 10,03 ₽ |
 |
2N7002DWS-7 | Diodes Inc. | Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363 | 11,70 ₽ |
 |
2N7002K-7 | Diodes Inc. | МОП-транзистор Diodes Inc. серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2 Ом | 6,69 ₽ |
 |
2N7002K-T1-GE3 | Vishay | МОП-транзистор Vishay серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, Rds(on) 2 Ом, заряд затвора 0,6 нКл, ко | 2,51 ₽ |
 |
2N7002LT1G | onsemi | Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT-23 | 0,84 ₽ |
 |
2N7002T | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 115 мА, Rds(on) 2 Ом | 30,10 ₽ |
 |
2SC4617 | onsemi | Биполярный транзистор onsemi малой мощности, NPN, кремниевый, Ic 0,1 А, Uceo 50 В | 104,50 ₽ |
 |
2SC6082-1E | onsemi | Биполярный транзистор onsemi, NPN, 50 В, 15 А, низкое напряжение насыщения Vce(sat), корпус TO- | 49,32 ₽ |
 |
2SK3018 | Goodwork | МОП-транзистор Goodwork, применяется для силовой коммутации и управления сигналом | 0,84 ₽ |
| 2SK3402-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 60 В, 36 А, автомобильное исполнение, корпус TO-251 | 86,94 ₽ | |
| 2SK3404-Z-E1-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 30 В, 40 А, корпус TO-263 | 122,89 ₽ | |
| 2SK3404-Z-E2-AZ | Renesas | Силовой переключающий МОП-транзистор Renesas, N-канальный | 122,89 ₽ | |
 |
2SK3408-T1B-A | Renesas | Переключающий МОП-транзистор Renesas, N-канальный | 15,88 ₽ |
 |
2SK3412-TL-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень) | 36,78 ₽ |
 |
2SK3415LS | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 40 А, корпус TO-220FI | 90,29 ₽ |
| 2SK3431-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 40 В, 83 А, автомобильное исполнение, корпус TO-220AB | 153,82 ₽ | |
| 2SK3433-ZJ-E1-AZ | Renesas | Силовой переключающий МОП-транзистор Renesas, N-канальный | 95,30 ₽ | |
 |
2SK3435-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 60 В, 80 А, Rds(on) 14 мОм, автомобильное исполнен | 139,61 ₽ |
| 2SK3446TZ-E | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 150 В, 1 А, корпус TO-92 | 74,40 ₽ | |
| 2SK3447TZ-E | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 150 В, 1 А, корпус SC-51 | 25,92 ₽ | |
 |
2SK3449 | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 4,8 А, корпус TO-126ML | 26,75 ₽ |
| 2SK3455B-S17-AY | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 500 В, 12 А, корпус TO-220 изолированный, туб-упаковка | 229,90 ₽ | |
| 2SK3481(0)-Z-E1-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 100 В, 30 А, Rds(on) 50 мОм, корпус TO-220SMD | 98,65 ₽ | |
| 2SK3483-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 100 В, 28 А, автомобильное исполнение, корпус TO-251 | 91,96 ₽ | |
| 2SK3483-Z-AZ | Renesas | МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 100 В, 28 А, корпус TO-252 | 76,08 ₽ | |
| 2SK3484-S16-AY | Renesas | МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 100 В, 16 А, Rds(on) 125 мОм, корпус TO-251 | 68,55 ₽ | |
 |
2SK3485-TD-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 2,5 А, Rds(on) 0,11 Ом, корпус SOT-89 | 11,70 ₽ |
 |
2SK3486-TD-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 10 А, Rds(on) 33 мОм при Vgs=4 В | 15,05 ₽ |
 |
2SK3487-TD-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 2,5 В (логический уровень) | 17,56 ₽ |
 |
2SK3491-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень) | 51,83 ₽ |
 |
2SK3491-TL-E | onsemi | N-канальный силовой MOSFET, 600 В, 1 А, сопротивление канала 8,5 Ом, корпус TO-251, выводной. | 17,56 ₽ |
 |
2SK3492-TL-E | onsemi | МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 8 А, корпус TO-FA (2 вывода + теплоотвод) | 40,96 ₽ |
 |
2SK3495-AZ | onsemi | МОП-транзистор onsemi 2SK3495, одиночный N-канальный силовой транзистор | 10,87 ₽ |
 |
2П308В9 Транзистор | TE Connectivity | Транзистор 2П308В9, отечественное исполнение | 117,88 ₽ |
Показаны 60 позиций из 779. Полный список — в разделах каталога выше или через поиск по партномеру.
Какие бывают транзисторы
Полевые MOSFET
Основной ключ современной силовой электроники. Управляются напряжением, почти не потребляют по затвору в статике, характеризуются сопротивлением открытого канала Rds(on).
Биполярные
Сигнальные NPN и PNP для усиления и коммутации малых токов. Управляются током, характеризуются коэффициентом усиления hFE.
IGBT и модули
Для высоковольтной силовой техники: приводы, сварка, индукционный нагрев. Сочетают полевое управление с биполярным силовым переходом.
Карбид-кремниевые (SiC) и GaN
Новое поколение: меньше потери на переключении, выше рабочие частоты и температуры. Дороже, оправданы от сотен ватт.
Фототранзисторы
Приёмники оптического излучения с усилением — в оптопарах, датчиках положения и оптопрерывателях.
Как выбрать
Напряжение с запасом
Для ключа в импульсной схеме берут минимум двукратный запас к напряжению питания: выбросы на паразитной индуктивности легко добавляют сотни вольт.
Ток и Rds(on)
Паспортный ток указан при идеальном теплоотводе и температуре корпуса 25 °C — в реальной схеме ориентируйтесь на тепловой расчёт, а не на цифру из первой строки.
Заряд затвора Qg
Определяет требуемую мощность драйвера и потери на переключении. Для высоких частот важнее, чем Rds(on).
Пороговое напряжение Vgs(th)
Логический уровень (logic level) открывается от 2,5–4,5 В, обычный требует 10 В. Подключение обычного MOSFET к выводу микроконтроллера — классическая причина перегрева.
Корпус и цоколёвка
У одинаковых с виду корпусов расположение выводов различается между сериями и производителями.
Большинство отказов силовых транзисторов — не превышение тока, а проблемы затворной цепи. Длинная петля затвора вместе с ёмкостью транзистора образует резонансный контур: возникает звон, ложное отпирание и сквозной ток через плечо моста. Драйвер размещают вплотную к транзистору, землю драйвера и исток соединяют кратчайшим путём, а последовательный резистор в затворе подбирают по осциллограмме, а не «как у всех». При параллельном соединении MOSFET каждому ключу нужен свой затворный резистор.
Частые вопросы
Как подобрать аналог транзистора?
По ключевым параметрам из даташита: напряжение, ток, Rds(on)/hFE, корпус и цоколёвка. Пришлите партномер — предложим замену из наличия с сопоставлением характеристик.
Чем отличается оригинальный транзистор от подделки?
Подделки не держат заявленный ток и пробиваются на границе напряжения. Мы возим через официальные каналы; для ответственных применений предоставим протоколы входного контроля.
Как расшифровать SMD-маркировку транзистора?
Кодовая маркировка (например, 1AM = MMBT3904) расшифровывается по справочникам производителей — пришлите код и фото корпуса, определим модель бесплатно.
Можно ли соединять транзисторы параллельно для большего тока?
MOSFET — да, при выравнивании затворных цепей; биполярные — только с эмиттерными резисторами. Подскажем схему выравнивания токов под вашу задачу.