Биполярные транзисторы — купить со склада и под заказ
Категория
В каталоге ЭЛ-СИРИУС — 275 наименований категории «Биполярные транзисторы» от ведущих производителей. Проверка наличия и цены онлайн по партномеру (MPN), поставка со склада и под заказ, доставка по России и СНГ. Работаем с юридическими лицами и частными покупателями.
| Фото | Партномер (MPN) | Производитель | Описание | Цена | Наличие |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2222 | STMicroelectronics | Биполярный транзистор STMicroelectronics 2N2222, NPN, кремниевый, Uceo 30 В, Ic 0,8 А, Pd 1,8 Вт, корпус TO-18 | 68,55 ₽ | Под заказ |
|
2N2222 1P-TD(0.26) | STMicroelectronics | Транзистор биполярный NPN переключающий, 30 В, ток 0,8 А, мощность 1,8 Вт, корпус TO-18 | 0,84 ₽ | Под заказ |
| 2N2222 1P-TD[0.26] | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222, NPN, лента | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222 PBFREE | Central Semiconductor | NPN-транзистор 2N2222, ток коллектора 0.8 А, напряжение пробоя 30 В, кремниевый, корпус TO-18, бессвинцовый | по запросу | Под заказ | |
 |
2N2222A | Microchip | Биполярный транзистор Microchip 2N2222A, NPN, выводной монтаж | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor | Биполярный транзистор Central Semiconductor 2N2222A, NPN, усилитель/ключ, 40 В, 800 мА, корпус TO-18 | 312,66 ₽ | Под заказ |
 |
2N2222A-N2 | TT Electronics | NPN-транзистор 2N2222A, корпус TO-18 | 4 521,09 ₽ | Под заказ |
|
2N2222A-T | Central Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222A, NPN, лента | по запросу | Под заказ |
| 2N2222A, TO-18 (мет.) транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222A, NPN, металлический корпус TO-18 | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222A. | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222A, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222Ae3 | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222A, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222Ae4 | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222A, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222AU | CBI Electric | Биполярный транзистор (BJT) 2N2222AU, CBI Electric, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222AUA | Microchip | NPN-транзистор 2N2222 общего назначения, SMD, ток 800 мА, напряжение 75 В, мощность 500 мВт | по запросу | Под заказ | |
 |
2N2222AUB | Microchip | Биполярный транзистор Microchip 2N2222, NPN, поверхностный монтаж | 769,96 ₽ | Под заказ |
| 2N2222AUB/TR | Microchip | NPN-транзистор 2N2222A, напряжение 50 В, ток 800 мА, мощность 500 мВт, SMD, 3 вывода | по запросу | Под заказ | |
| 2N2222AUB1 | STMicroelectronics | Радиационно-стойкий NPN биполярный транзистор 2N2222A, напряжение 40 В, ток 0.8 А | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904 | Diotec | Малосигнальный NPN-транзистор 2N3904, ток коллектора 0.2 А, напряжение пробоя 40 В, корпус TO-92 | 0,55 ₽ | Под заказ | |
 |
2N3904 (DC:2003/31) | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности NPN 2N3904, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 13,60 ₽ | Под заказ |
|
2N3904 100-150 | EVVOSEMI | Транзистор биполярный малой мощности NPN 2N3904, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 5,07 ₽ | Под заказ |
| 2N3904 150-200 | EVVOSEMI | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904, EVVOSEMI, NPN, группа усиления 150-200 | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904 1AM-TD(0.26) | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904, NPN, лента | по запросу | Под заказ | |
|
2N3904 200-250 | EVVOSEMI | Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 5,07 ₽ | Под заказ |
| 2N3904-338 | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904-338, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
2N3904BK | Diotec | NPN-транзистор 2N3904, напряжение 40 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
 |
2N3904BU | onsemi | Транзистор биполярный NPN, 40 В, ток 200 мА, мощность 625 мВт, корпус TO-92, выводной монтаж | 9,20 ₽ | Под заказ |
 |
2N3904G | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения 2N3904, 40 В, ток 200 мА, мощность 1,5 Вт, корпус TO-92 | 5,02 ₽ | Под заказ |
| 2N3904G-T92-B | UTC | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904G, UTC, NPN, корпус TO-92, лента | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904L-T92-B | UTC | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904L, UTC, NPN, корпус TO-92, лента | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904S-HXY | HXY MOSFET | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904, HXY MOSFET, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904S-RTK/PS | KEC | NPN-транзистор 2N3904, напряжение 40 В, мощность 350 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
|
2N3904SI | YFW | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904SI, YFW, NPN | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
2N3904TA | onsemi | Биполярный транзистор малой мощности NPN, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус TO-92 | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
2N3904TAR | onsemi | NPN-транзистор 2N3904, ток коллектора 0.2 А, напряжение пробоя 40 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
 |
2N3904TF | onsemi | NPN-транзистор 2N3904, напряжение 40 В, ток 200 мА, мощность 625 мВт, корпус TO-92, выводной монтаж | по запросу | Под заказ |
 |
2N3904TFR | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения, ток 200 мА, напряжение 40 В | 8,36 ₽ | Под заказ |
 |
2N3904TFR. | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TFR, NPN | по запросу | Под заказ |
| 2N3904U | HXY MOSFET | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904U, HXY MOSFET, NPN | по запросу | Под заказ | |
| 2N3904X | — | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904X, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
2N6388G | onsemi | Составной транзистор Дарлингтона onsemi, NPN, 80 В, 10 А | 117,04 ₽ | Под заказ |
 |
2SC4617 | onsemi | Биполярный транзистор onsemi малой мощности, NPN, кремниевый, Ic 0,1 А, Uceo 50 В | 5,02 ₽ | Под заказ |
 |
2SC6082-1E | onsemi | Биполярный транзистор onsemi, NPN, 50 В, 15 А, низкое напряжение насыщения Vce(sat), корпус TO-220F | 154,66 ₽ | Под заказ |
 |
SSM2212CPZ-R7 | Analog Devices | Малосигнальный PNP-транзистор, сдвоенный, ток коллектора 0.02 А, напряжение пробоя 36 В, кремниевый | по запросу | Под заказ |
 |
SSM2212CPZ-RL | Analog Devices | Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор, корпус SOIC-8 | по запросу | Под заказ |
 |
SSM2212RZ | Analog Devices | Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор для аудиоприменений | по запросу | Под заказ |
 |
SSM2212RZ-R7 | Analog Devices | Согласованная пара NPN-транзисторов, 40 В, 20 мА, корпус SOIC-8 | по запросу | Под заказ |
 |
SSM2212RZ-RL | Analog Devices | Малошумящий сдвоенный NPN-транзистор общего назначения, 40 В, ток 0.02 А, корпус SOIC-8 | по запросу | Под заказ |
 |
BC547 | onsemi | Биполярный транзистор onsemi BC547, NPN, выводной, hFE≈110, Ic 100 мА, Pd 500 мВт, fT 300 МГц | 1,20 ₽ | Под заказ |
 |
BC547 транзистор | onsemi | Биполярный транзистор onsemi BC547, малой мощности, NPN, 45 В, 0,1 А, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
| BC547-B | — | Биполярный транзистор (BJT) BC547B, NPN | по запросу | Под заказ | |
| BC547-TA | Jiangsu Huaneng Elec | Биполярный транзистор (BJT) BC547, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, лента | по запросу | Под заказ | |
 |
BC547A | Diotec | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 0,82 ₽ | Под заказ |
 |
BC547B | onsemi | NPN-транзистор эпитаксиальный кремниевый, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 45 В, ток 0,1 А, корпус TO-92. | 1,02 ₽ | Под заказ |
| BC547B.126 | NXP Semiconductors | Биполярный транзистор (BJT) BC547B, NXP Semiconductors, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
BC547BBK | Diotec | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 3,44 ₽ | Под заказ |
 |
BC547BBU | onsemi | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 4,86 ₽ | Под заказ |
 |
BC547BTA | onsemi | Биполярный транзистор NPN общего назначения BC547B, 45 В, ток 0,1 А, корпус TO-92, лента. | 14,21 ₽ | Под заказ |
 |
BC547BTF | onsemi | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 3,21 ₽ | Под заказ |
 |
BC547C | onsemi | Силовой NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 1,10 ₽ | Под заказ |
| BC547C /Diotec/ транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC547C, Diotec, NPN | по запросу | Под заказ | |
| BC547C-HT транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC547C-HT, NPN | по запросу | Под заказ | |
| BC547C.112 | — | Биполярный транзистор (BJT) BC547C, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
BC547C.112 Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63 Вт (TO-92) | NXP Semiconductors | Биполярный транзистор (BJT) BC547C, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.63 Вт, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
 |
BC547CBK | Diotec | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 1,66 ₽ | Под заказ |
 |
BC547CBU | onsemi | NPN-транзистор, напряжение 45 В, частота 300 МГц, мощность 500 мВт, ток 100 мА. | 4,86 ₽ | Под заказ |
 |
BC547CTA | onsemi | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус TO-92. | 5,63 ₽ | Под заказ |
 |
BC547CTFR | onsemi | Биполярный транзистор NPN BC547C, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, корпус TO-92. | 15,05 ₽ | Под заказ |
| BC547TA | onsemi | NPN-транзистор BC547, ток коллектора 0.1 А, напряжение пробоя 45 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ | |
 |
BC557 | onsemi | Биполярный PNP-транзистор, напряжение 5 В, ток 100 мА, мощность 500 мВт, частота 150 МГц, выводной корпус. | 1,23 ₽ | Под заказ |
 |
BC807 | Nexperia | Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,5 А, напряжение 45 В, кремниевый, корпус SOT-23. | 0,90 ₽ | Под заказ |
 |
BC807-40 | NXP Semiconductors | Биполярный PNP-транзистор, напряжение 45 В, ток 500 мА. | 0,46 ₽ | Под заказ |
 |
BC817 | NXP Semiconductors | Сдвоенный транзистор NPN, 45 В, ток 0,5 А, мощность 345 мВт, автомобильное исполнение, корпус SOT-23. | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
BC817-25 | NXP Semiconductors | Биполярный NPN-транзистор, напряжение 45 В, мощность 300 мВт, ток 500 мА, корпус SOT-23. | 0,52 ₽ | Под заказ |
 |
BC817-40 | NXP Semiconductors | Биполярный транзистор NPN общего назначения, 45 В, ток 500 мА, мощность 250 мВт. | 4,18 ₽ | Под заказ |
| BC817-40_KT | — | Биполярный транзистор (BJT) BC817-40, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
BC846B | Diotec | Малосигнальный NPN-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 65 В, кремниевый, корпус SOT-23. | 0,39 ₽ | Под заказ |
 |
BC846BW | Nexperia | Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC846BW, NPN | 5,02 ₽ | Под заказ |
 |
BC846W | Nexperia | Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC846W, NPN | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BC847 | NXP Semiconductors | Биполярный транзистор (BJT) BC847, NPN | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BC847B | NXP Semiconductors | Биполярный NPN-транзистор, напряжение 45 В, ток 100 мА. | 0,39 ₽ | Под заказ |
 |
BC847BPN,115 | Nexperia | Сдвоенный биполярный транзистор NPN+PNP, напряжение 45 В, ток 100 мА, корпус 6 выводов. | 4,31 ₽ | Под заказ |
 |
BC856A | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23 | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
BC856ALT1G | onsemi | PNP-транзистор, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23. | 0,56 ₽ | Под заказ |
 |
BC856B | Nexperia | Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 65 В, кремниевый, корпус SOT-23. | 0,41 ₽ | Под заказ |
 |
BC857B | Nexperia | Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый. | 0,38 ₽ | Под заказ |
 |
BC857B,215 | Nexperia | Биполярный транзистор (BJT) BC857B, PNP | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
BC857BDW SOT363 | onsemi | Сдвоенный биполярный транзистор onsemi BC857BDW, PNP, 45 В, 100 мА, корпус SOT-363 | по запросу | Под заказ |
 |
BC857BS | Panjit | Биполярный транзистор малой мощности PNP сдвоенный, ток 0,1 А, напряжение 45 В | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
BC857C | Diotec | Транзистор биполярный PNP общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобильное исполнение, корп | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
BC857C,215 | Nexperia | Биполярный транзистор (BJT) BC857C, PNP | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
BCP56 | onsemi | Биполярный транзистор NPN общего назначения, 80 В, ток 1,2 А, мощность 1 Вт, корпус SOT-223. | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BCV27 | onsemi | Составной транзистор Дарлингтона NPN, 30 В, ток 1,2 А, мощность 350 мВт, корпус SOT-23-3. | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
BCW68H | Multicomp | Малосигнальный PNP-транзистор общего назначения, напряжение 45 В, ток 1 А, корпус SOT-23. | 1,83 ₽ | Под заказ |
| BD139 npn 1.5A 80V аналог КТ815Г | — | Биполярный транзистор (BJT) BD139, NPN, ток 1.5 А, напряжение 80 В, аналог КТ815Г | по запросу | Под заказ | |
 |
BD139-(TO-126) | STMicroelectronics | Транзистор биполярный NPN усилительный/драйверный, 80 В, ток 1,5 А, мощность 12,5 Вт, корпус TO-126 | 5,02 ₽ | Под заказ |
 |
BD139-10 | STMicroelectronics | NPN эпитаксиальный транзистор серии BD139, напряжение 80 В, корпус SOT-32, выводной монтаж | по запросу | Под заказ |
 |
BD139-16 | STMicroelectronics | NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, ток 1.5 А, мощность 12.5 Вт, корпус SOT-32, 3 вывода | по запросу | Под заказ |
 |
BD139-16 транзистор | STMicroelectronics | Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1,5 А, мощность 12,5 Вт, корпус TO-126, выводной монтаж | по запросу | Под заказ |
 |
BD139-16S | onsemi | Биполярный транзистор NPN, напряжение 80 В, ток 1,5 А, корпус TO-126 | 35,11 ₽ | Под заказ |
 |
BD139-16STU | Fairchild Semiconductor | Силовой биполярный транзистор Fairchild BD139, NPN, ток коллектора 1.5 А, напряжение 80 В, корпус TO-126 | по запросу | Под заказ |
|
BD139-25 | Skyworks Solutions | NPN биполярный транзистор BD139 | по запросу | Под заказ |
 |
BD139(RANGE:100-250) | STMicroelectronics | Биполярный транзистор (BJT) BD139, NPN, группа усиления 100-250 | по запросу | Под заказ |
 |
BD13910S | onsemi | NPN-транзистор BD139, напряжение пробоя 80 В, ток коллектора 1.5 А, корпус TO-225AA | по запросу | Под заказ |
 |
BD13910STU | onsemi | NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, мощность 12.5 Вт, ток 1.5 А | по запросу | Под заказ |
 |
BD13916STU | onsemi | NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, ток 1.5 А, 3 вывода | по запросу | Под заказ |
| BD13916STU-HXY | HXY MOSFET | Биполярный транзистор (BJT) BD13916ST, HXY MOSFET, корпус TO-263 | по запросу | Под заказ | |
 |
BD139G | onsemi | Мощный NPN-транзистор BD139G, ток 1.5 А, напряжение 80 В | по запросу | Под заказ |
| BD139L-16-T60-T | UTC | Биполярный транзистор (BJT) BD139L, UTC, NPN, корпус TO-126, лента | по запросу | Под заказ | |
 |
BD681 | STMicroelectronics | Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 4 А, мощность 40 Вт, корпус TO-126. | 7,89 ₽ | Под заказ |
 |
BDX33CG | onsemi | Составной NPN-транзистор Дарлингтона, 10 А, 100 В. | 60,36 ₽ | Под заказ |
 |
BDX53C | STMicroelectronics | Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 8 А, мощность 60 Вт, корпус TO-220. | 21,32 ₽ | Под заказ |
 |
BDX54C | STMicroelectronics | Биполярный PNP-транзистор, напряжение 100 В, ток 8 А. | 35,95 ₽ | Под заказ |
| CXT5401 | Changjiang Electronics | PNP-транзистор CXT5401, напряжение 160 В, ток 0.05 А, мощность 500 мВт, корпус SOT-89-3L | по запросу | Под заказ | |
 |
MJD350-13 | Diodes Inc. | Биполярный транзистор PNP Diodes Inc. общего назначения, 300 В, 0.5 А, корпус DPAK, лента/катушка | по запросу | Под заказ |
 |
EMH9FHAT2R | ROHM | Биполярный сборный транзистор NPN, ток коллектора 0,1 А, напряжение 50 В, 2 элемента. | 27,59 ₽ | Под заказ |
 |
BC847CWH6778XTSA1 | Infineon | NPN-транзистор общего назначения, 45 В, 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус SOT | 6,61 ₽ | Под заказ |
| BC857BWH6778XTSA1 | Infineon | PNP-транзистор общего назначения, 45 В, 0,1 А, корпус SOT-323, лента. | по запросу | Под заказ | |
| BCM856SH6778XT | Infineon | Сдвоенный PNP-транзистор общего назначения, 65 В, 0,1 А, корпус SOT-363, лента. | по запросу | Под заказ | |
 |
BCM856SH6778XTSA1 | Infineon | PNP-транзистор общего назначения, 65 В, 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобильное исполнение, корпус SOT-363, лен | 17,34 ₽ | Под заказ |
| BCP 51-16 H6778 | Infineon | Биполярный транзистор серии BCP, корпус SOT-223, Infineon. | по запросу | Под заказ | |
| BCP 54-16 H6778 | Infineon | Биполярный транзистор серии BCP, корпус SOT-223, Infineon. | по запросу | Под заказ | |
| BCP 54-16 H6779 | Infineon | NPN-транзистор, напряжение 45 В, ток 1 А, корпус SOT-223. | по запросу | Под заказ | |
| JANSR2N2222A | Microchip | Военный NPN-транзистор JANS 2N2222A, напряжение 50 В, ток 0.8 А, мощность 500 мВт, корпус TO-18 | по запросу | Под заказ | |
 |
JANSR2N2222AUA | Microchip | NPN биполярный транзистор военного исполнения JANS 2N2222A, напряжение 50 В, ток 0.8 А, мощность 650 мВт | 14 122,55 ₽ | Под заказ |
 |
JANSR2N2222AUB | Microchip Technology | по запросу | Под заказ | |
 |
JANTX2N2222A | Microchip | Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTX, 50 В, ток 0,8 А, корпус TO-218, выводной монтаж | 445,59 ₽ | Под заказ |
 |
JANTX2N2222AUB | Microchip | Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTX, 50 В, ток 0,8 А, поверхностный монтаж | 762,43 ₽ | Под заказ |
 |
JANTXV2N2222A | Microchip Technology | по запросу | Под заказ | |
 |
JANTXV2N2222AUB | Microchip | Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTXV, 50 В, ток 0,8 А, поверхностный монтаж | 5 107,96 ₽ | Под заказ |
 |
JANTXV2N2222AUBP | Microchip Technology | по запросу | Под заказ | |
 |
KRC101S-RTK/P | KEC | Биполярный транзистор KEC KRC101S с встроенными резисторами, NPN, малосигнальный, ток 0.1 А, напряжение 50 В | по запросу | Под заказ |
 |
KRC102S-RTK/P | KEC | Биполярный транзистор KEC KRC102S с встроенными резисторами, NPN, малосигнальный, ток 0.1 А, напряжение 50 В | по запросу | Под заказ |
 |
KSP2222ABU | onsemi | Биполярный транзистор onsemi KSP2222A, малосигнальный, NPN, ток коллектора 0.6 А, напряжение 40 В, корпус TO-9 | по запросу | Под заказ |
 |
KSP2222ATA | onsemi | Биполярный транзистор onsemi KSP2222A, малосигнальный, NPN, ток коллектора 0.6 А, напряжение 40 В, корпус TO-9 | по запросу | Под заказ |
 |
MJE15033G | onsemi | Аудио биполярный транзистор onsemi MJE15033, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ |
 |
MMBT3904 | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения, напряжение 40 В, ток 0,2 А, корпус SOT-23 | 3,34 ₽ | Под заказ |
|
MMBT3904 1AM | LGE | NPN биполярный транзистор MMBT3904, корпус SOT-23 | 0,84 ₽ | Под заказ |
| MMBT3904,215 | Nexperia | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904(1AM) | Diotec Semiconductor | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904(RANGE:100-300) | Diotec Semiconductor | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904D2 | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904DC | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904DFN | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904DW | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904E | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904FX | — | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904HRFG | Taiwan Semiconductor Corporation | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904L | onsemi | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904L3 | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904LG | — | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904LP | GOODWORK | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904LP(MS) | GOODWORK | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904LT1 | Infineon Technologies | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904M | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904M3 | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904NC | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904Q | onsemi | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904T | onsemi | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904T2 | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904T3 | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904T5 | — | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904T7 | Diodes Incorporated | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904VL | Nexperia USA Inc. | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904W | GOODWORK | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904WG | — | по запросу | Под заказ | ||
| MMBT3904X | — | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT4403 | onsemi | Транзистор биполярный PNP общего назначения, напряжение 40 В, ток 0,6 А, корпус SOT-23 | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
MMBT489LT1G | onsemi | Транзистор биполярный NPN, ток 1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23 | 11,70 ₽ | Под заказ |
 |
MMBT5089LT1G | onsemi | Биполярный транзистор одиночный NPN общего назначения, 25 В, ток 50 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-23 | 13,38 ₽ | Под заказ |
 |
MMBT5401 | onsemi | Биполярный транзистор onsemi MMBT5401, общего назначения, PNP, 150 В, 0.6 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
MMBTA42 | onsemi | Транзистор биполярный NPN общего назначения, напряжение 300 В, ток 0,5 А, мощность 240 мВт, корпус SOT-23 | 5,02 ₽ | Под заказ |
 |
MMBTA55 | onsemi | Биполярный транзистор onsemi MMBTA55, общего назначения, PNP, 60 В, 0.5 А, 350 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
MMBTA64-7-F | Diodes Inc. | Биполярный транзистор Diodes Inc. MMBTA64, PNP, 30 В, 500 мА, 125 МГц, 300 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
MMDT2227-7-F | Diodes Inc. | Массив биполярных транзисторов Diodes Inc. MMDT2227, NPN/PNP, 40/60 В, ток 600 мА, 200 мВт | по запросу | Под заказ |
| MMSS8050-H | — | Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN | по запросу | Под заказ | |
| MMSS8050-H-HXY | HXY MOSFET | Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050, HXY MOSFET, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
MMSS8050-H-TP | MCC | NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, мощность 625 мВт, ток 1.5 А, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
| MMSS8050-H-TP-CN | — | Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
MMSS8050-L-TP | MCC | NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
MMSS8050W-J-TP | HXY MOSFET | Малосигнальный биполярный транзистор, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
MJE15035G | onsemi | Высоковольтный PNP биполярный транзистор, ток 4 А, напряжение 350 В, корпус TO-220AB | 45,14 ₽ | Под заказ |
| S-LBAV99LT1G | Leshan Radio Co. | Сдвоенный переключательный диод S-LBAV99L, 2 элемента, ток 0.215 А, обратное напряжение 70 В, кремниевый | по запросу | Под заказ | |
| S8050 | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | NPN-транзистор S8050, напряжение 40 В, ток 500 мА, мощность 300 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
S8550 | Litesemi | Транзистор биполярный, Litesemi | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
S9013 | Plingsemic | Транзистор биполярный NPN, 100 В, ток 500 мА, корпус SOT-23 | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
S9014 | Jingdao | Биполярный транзистор Jingdao S9014, NPN, 200 мВт, ток до 100 мА, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
SMBTA92E6327HTSA1 | Infineon | Транзистор биполярный PNP, 300 В, ток 0,5 А, частота 50 МГц, мощность 360 мВт, корпус SOT-23 | 30,10 ₽ | Под заказ |
 |
SMUN5211T1G | onsemi | Биполярный транзистор onsemi SMUN5211 с встроенными резисторами, NPN, малосигнальный, ток 0.1 А, напряжение 50 | по запросу | Под заказ |
| SS8050 | Fairchild Semiconductor | NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050 L | MCC | Транзистор биполярный NPN, 25 В, ток 1,5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, корпус SOT-23 | 2,51 ₽ | Под заказ |
| SS8050 -Y1, SOT-23 транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050 (DC:2025/01) | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, партия 2025/01 | по запросу | Под заказ |
| SS8050 160-400 | Dowo Semi | NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 160-400, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
| SS8050 200-350 | Dowo Semi | NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 200-350, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
|
SS8050 SOT-323 | Slkor | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-323 | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050 TO-92 | Slkor | Биполярный транзистор Slkor SS8050, малосигнальный, NPN, ток коллектора 1.5 А, напряжение 25 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
|
SS8050 Y1 0.52 | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, SMD | 0,84 ₽ | Под заказ |
| SS8050 Y1 200-350 | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050 Y1, NPN, группа усиления 200-350 | по запросу | Под заказ | |
| SS8050 Y1-TD(0.4) | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050 Y1-TD, NPN, лента | по запросу | Под заказ | |
|
SS8050 Y1-TD(0.52) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, SMD | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050-0.7A | YONGYUTAI | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, YONGYUTAI, NPN, ток 0.7 А | по запросу | Под заказ |
|
SS8050-1.5A | CBI Electric | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, CBI Electric, NPN, ток 1.5 А | 0,84 ₽ | Под заказ |
|
SS8050-6AF | FOSAN | NPN биполярный транзистор SS8050, аналог SS8050/L8050 | 0,84 ₽ | Под заказ |
|
SS8050-D TB | YFW | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-D, YFW, NPN, лента | 3,34 ₽ | Под заказ |
| SS8050-FX | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-FX, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050-G | Comchip | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, частота 100 МГц, корпус SOT-23-3 | 19,23 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050-G(RANGE:120-200) | Comchip Technology | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-G, NPN, группа усиления 120-200 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050-G(RANGE:200-350) | Comchip Technology | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-G, NPN, группа усиления 200-350 | по запросу | Под заказ |
| SS8050-GM | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-GM, NPN | по запросу | Под заказ | |
| SS8050-H | Yangjie Electronic Technology | Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, кремниевый | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050-HF | Comchip | Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, кремниевый | по запросу | Под заказ |
| SS8050-HQ | Yangjie Electronic Technology | Биполярный NPN-транзистор SS8050, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050-L | Yangjie Electronic Technology | Биполярный транзистор малой мощности NPN, ток коллектора 1,5 А, напряжение 25 В | 2,51 ₽ | Под заказ |
| SS8050-LQ | Yangjie Electronic Technology | Кремниевый биполярный NPN-транзистор SS8050 | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050-M | Yangjie Electronic Technology | Биполярный кремниевый транзистор, Yangjie Electronic Technology | 2,51 ₽ | Под заказ |
| SS8050-MS | MSKSemi Semiconductors | NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, мощность 300 мВт, hFE 200-350, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ | |
|
SS8050-SOT-23 | Fairchild Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Fairchild Semiconductor, NPN, корпус SOT-23 | 0,84 ₽ | Под заказ |
|
SS8050-TA | Changjiang Electronics | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, мощность 1 Вт, корпус TO-92 | 1,67 ₽ | Под заказ |
| SS8050-TA(RANGE:160-300) | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-TA, NPN, группа усиления 160-300 | по запросу | Под заказ | |
| SS8050-TO-92 | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050(RANGE:120-200) | Jiangsu Huaneng Elec | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, группа по hFE 120-200 | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050(RANGE:160-300) | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, группа усиления 160-300 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050(RANGE:200-300) | Jiangsu Huaneng Elec | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050(RANGE:200-350) | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, группа усиления 200-350 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050(RANGE:300-400) | Jiangsu Huaneng Elec | NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, группа по hFE 300-400 | 1,67 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050(SOT-23) | Fairchild Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Fairchild Semiconductor, NPN, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050(SOT-89) | Born Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Born Semiconductor, NPN, корпус SOT-89 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050(SOT89-3L) | HXY MOSFET | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, HXY MOSFET, NPN, корпус SOT89-3L | 2,51 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050(SOT89) | Tech Public | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Tech Public, NPN, корпус SOT89 | 1,67 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050CBU | onsemi | Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050CTA | onsemi | Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050D | onsemi | Транзистор биполярный NPN эпитаксиальный кремниевый, 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, корпус | 3,34 ₽ | Под заказ |
| SS8050D (SS8050CBU), TO-92 транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050D (аналог SS8050CBU), NPN, корпус TO-92 | по запросу | Под заказ | |
| SS8050D331 | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050D331, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050DBU | onsemi | Биполярный транзистор одиночный NPN, 25 В, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, ток 1,5 А | 45,98 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050DTA | onsemi | Эпитаксиальный NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, корпус TO- | по запросу | Под заказ |
|
SS8050S | FOSAN | Биполярный транзистор (BJT) SS8050S, FOSAN, NPN | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
SS8050W | Fairchild Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) SS8050W, Fairchild Semiconductor, NPN | по запросу | Под заказ |
| SS8050W-1.5A | CBI Electric | Биполярный транзистор (BJT) SS8050W, CBI Electric, NPN, ток 1.5 А | по запросу | Под заказ | |
| SS8050W-H | Yangjie Electronic Technology | Кремниевый биполярный NPN-транзистор SS8050 | по запросу | Под заказ | |
|
SS8050W-L | Yangjie Electronic Technology | NPN биполярный транзистор SS8050 | 2,51 ₽ | Под заказ |
| SS8050WGH | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050WGH, NPN | по запросу | Под заказ | |
| SS8050X | — | Биполярный транзистор (BJT) SS8050X, NPN | по запросу | Под заказ | |
|
BD139 | STMicroelectronics | Биполярный NPN-транзистор кремниевый, усилитель/драйвер, напряжение 80 В, ток 1,5 А, мощность 12,5 Вт, корпус | 4,25 ₽ | Под заказ |
 |
ULN2068B | STMicroelectronics | Матрица транзисторов Дарлингтона NPN, 7 каналов, 50 В, 1.5 А, мощность 1 Вт, корпус DIP | 425,52 ₽ | Под заказ |
 |
TIP122 | STMicroelectronics | Транзистор Дарлингтона комплементарный NPN/PNP TIP122, 100 В, ток 5 А, корпус TO-220-3 | 13,38 ₽ | Под заказ |
| TIP122 1000-12000 | — | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, группа усиления 1000-12000 | по запросу | Под заказ | |
| TIP122 TO-220-3L | Changjiang Electronics | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Changjiang Electronics, NPN, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ | |
 |
TIP122 TO-263-2L | STMicroelectronics | Транзистор Дарлингтона комплементарный NPN/PNP TIP122, 100 В, ток 5 А, корпус TO-220-3 | 21,74 ₽ | Под заказ |
 |
TIP122 транзистор | STMicroelectronics | Транзистор Дарлингтона комплементарный NPN/PNP TIP122, 100 В, ток 5 А, корпус TO-220-3 | по запросу | Под заказ |
 |
TIP122-(TO-220) | STMicroelectronics | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, корпус TO-220 | по запросу | Под заказ |
| TIP122-JSM | — | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, JSMICRO, NPN | по запросу | Под заказ | |
| TIP122.. | Multicomp | Транзистор Дарлингтона мощный NPN TIP122, ток 5 А, напряжение 100 В, корпус TO-220AB | 13,38 ₽ | Под заказ | |
| TIP122AT | — | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122AT, NPN | по запросу | Под заказ | |
| TIP122D | Blue Rocket | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122D, Blue Rocket, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
TIP122G | onsemi | Транзистор Дарлингтона мощный NPN, ток 5 А, напряжение 100 В | 34,28 ₽ | Под заказ |
| TIP122L | Yangjie Electronic Technology | Биполярный NPN-транзистор TIP122L | по запросу | Под заказ | |
| TIP122L-TA3-T | UTC | Составной (Дарлингтон) NPN-транзистор UTC TIP122L, кремниевый | по запросу | Под заказ | |
|
TIP122L-TF3-T | UTC | Биполярный транзистор UTC TIP122L, составной (Дарлингтон) | 15,88 ₽ | Под заказ |
| ULN2003 (LX) | — | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003, 7 каналов | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003 Плата драйвера шагового дви (DC: 2024) | — | Плата драйвера шагового двигателя на базе ULN2003, партия 2024 года | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003AFWG(CHEHZA | Toshiba | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AFWG, Toshiba, корпус SSOP | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003ALQ/TR | HGSEMI | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AL, HGSEMI, 7 каналов, лента | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003AP | Toshiba | Периферийный драйвер на базе буфера/инвертора ULN2003A, 7 драйверов, биполярный, корпус PDIP16 | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003APG | Toshiba | NPN-транзистор Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 0.5 А, мощность 1470 мВт, корпус PDIP-16 | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003AU | Slkor | 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, корпус SOP-16 | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003G | UTC | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003G, UTC, 7 каналов | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003G-D16-T | UTC | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003G, UTC, корпус SOP16, лента | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003G-P16-R | Unisonic | Периферийный драйвер на базе буфера/инвертора ULN2003, 7 драйверов, биполярный, корпус PDIP16 | по запросу | Под заказ | |
 |
ULN2003G-S16-R | UTC | Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона 7 каналов NPN, ток 500 мА, 50 В, корпус SOP-16 | 11,70 ₽ | Под заказ |
| ULN2003L-D16-T | UTC | NPN-транзисторная матрица Дарлингтона ULN2003L, напряжение насыщения 1.3 В, мощность 1.47 Вт, 50 В, 500 мА, ко | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003N | STMicroelectronics | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003N, STMicroelectronics, 7 каналов, корпус DIP | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003SE | — | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003SE, 7 каналов | по запросу | Под заказ | |
 |
ULN2803A | STMicroelectronics | Транзисторная сборка NPN биполярная, ток 500 мА, корпус PDIP-18, ULN2803A | 110,35 ₽ | Под заказ |
 |
UMT2NTR | ROHM | Биполярный транзистор малой мощности PNP сдвоенный, ток коллектора 0,15 А, напряжение 50 В, ROHM | 31,77 ₽ | Под заказ |
Производители и характеристики — Биполярные транзисторы
В категории 275 позиций от 53 производителей. У 107 позиций указана ориентировочная цена — от 0,55 ₽ за штуку. Фото — у 162 позиций. Ниже — какие значения ключевых характеристик встречаются в каталоге чаще всего: по ним удобно подобрать замену или уточнить запрос менеджеру.
Производители в категории
onsemi 53
STMicroelectronics 19
Nexperia 9
Microchip 9
Diotec 9
UTC 9
Infineon 8
NXP Semiconductors 8
Yangjie Electronic Technology 8
HXY MOSFET 6
Analog Devices 5
Fairchild Semiconductor 5
Ключевые характеристики и частые значения
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)45 V (33), 40 V (21), 50 V (16), 25 V (16), 80 V (12), 100 V (9), 65 V (8), 30 V (6) и ещё 7 значений
- Частота перехода100 MHz (31), 300 MHz (27), 250 MHz (15), 300MHz (11), 100MHz (10), 200 MHz (8), 190 MHz (6), 50 MHz (4) и ещё 14 значений
- КорпусTO-92 (27), SOT-23 (25), SOT-23-3 (9), TO-220-3 (6), TO-220 (6), SOT-32 (6), TO-18 (6), TO-92-3 (6) и ещё 19 значений
- Макс. ток коллектора100 mA (40), 1.5 A (25), 500 mA (12), 800 mA (12), 200 mA (12), 1 A (5), 20 mA (5), 5 A (5) и ещё 9 значений
- Число элементов1 (113), 2 (13) и ещё 2 значения
- Число выводов3 (105), 6 (8), 16 (6), 4 (3), 8 (3) и ещё 1 значение
О категории «Биполярные транзисторы»
Биполярные транзисторы onsemi, STMicroelectronics, Microchip и Infineon — 114 позиций: NPN и PNP общего применения (BC847, 2N3904-класс), силовые в TO-220/TO-247, высоковольтные для строчных развёрток, сборки Дарлингтона и цифровые транзисторы с встроенными резисторами.
Выбор по напряжению коллектор-эмиттер (Vceo до 1500 В), току коллектора, коэффициенту усиления hFE и граничной частоте. Для ключевых схем удобны цифровые транзисторы — экономят обвязку. Массовые SOT-23-позиции отгружаем лентой от одной катушки-отрезка, полные катушки — под заказ.