Транзисторы — купить со склада и под заказ
Категория
В каталоге ЭЛ-СИРИУС — 169 наименований категории «Транзисторы» от ведущих производителей. Проверка наличия и цены онлайн по партномеру (MPN), поставка со склада и под заказ, доставка по России и СНГ. Работаем с юридическими лицами и частными покупателями.
| Фото | Партномер (MPN) | Производитель | Описание | Цена | Наличие |
|---|---|---|---|---|---|
 |
10007632 | Fischer Elektronik | Зажим для транзистора Fischer Elektronik THFA 3, для теплоотвода. | по запросу | Под заказ |
 |
10007633 | Fischer Elektronik | Прижимная клипса Fischer Elektronik для транзисторов, серия THFA 4 | по запросу | Под заказ |
| 10065596 | Fischer Elektronik | Кронштейн для радиатора транзистора Fischer Elektronik | по запросу | Под заказ | |
| 10068989 | Fischer Elektronik | Кронштейн для радиатора транзистора Fischer Elektronik, чёрный | по запросу | Под заказ | |
 |
2 N 3904 | Diotec Semiconductor | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904, NPN | по запросу | Под заказ |
| 2N2222A TO-92 | — | по запросу | Под заказ | ||
| 2N2222AUA/TR | Microchip | NPN-транзистор общего назначения 2N2222A, напряжение 50 В, ток 800 мА, корпус SMD 4-Pin, лента | по запросу | Под заказ | |
 |
2N3904-TA | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904-TA, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
2N3904-TA(RANGE:200-300) | Jiangsu Huaneng Elec | Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TA, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300 | по запросу | Под заказ |
 |
2N7002LT1G | onsemi | Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT-23 | 7,52 ₽ | Под заказ |
| 2SC2705-Y | Toshiba | Биполярный транзистор (BJT) 2SC2705-Y, NPN | 61,96 ₽ | Под заказ | |
 |
2SC2712-Y | Toshiba | Биполярный транзистор (BJT) 2SC2712-Y, NPN | 0,84 ₽ | Под заказ |
| 2П308В9 Транзистор | — | Транзистор 2П308В9, отечественное исполнение | по запросу | Под заказ | |
| 8NM80G-TN3-R | Unisonic | N-канальный силовой MOSFET, ток 8 А, напряжение 800 В, сопротивление канала 0.78 Ом | по запросу | Под заказ | |
 |
AD8403A1 | Analog Devices | Цифровой потенциометр Analog Devices AD8403, 4 канала | по запросу | Под заказ |
 |
AD8403A10 | Analog Devices | Счетверённый цифровой потенциометр серии AD8403, аналог маломощного переключательного компонента | по запросу | Под заказ |
 |
AD8403A100 | Analog Devices | Цифровой потенциометр Analog Devices AD8403, 4 канала, сопротивление 100 кОм | по запросу | Под заказ |
 |
AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor | Транзистор MOSFET P-канальный, 30 В, ток 4,3 А, корпус SOT-23 | 1,95 ₽ | Под заказ |
 |
ART2K0FE | Ampleon | РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,001-0,4 ГГц, мощность 2000 Вт, усиление 28,4 дБ, напряжение 65 В | 42 369,32 ₽ | Под заказ |
 |
ART700FHU | Ampleon | Биполярный транзистор (BJT) ART700FHU | 27 548,71 ₽ | Под заказ |
| BB504MDS | — | Варикап (варакторный диод) BB504MDS, сдвоенный | по запросу | Под заказ | |
 |
BC807-25 | Diotec | Биполярный транзистор (BJT) BC807-25, PNP | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
BC807.215 | Nexperia | Биполярный транзистор (BJT) BC807, PNP | по запросу | Под заказ |
 |
BC846ALT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC846ALT1G, NPN, лента | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BC846B транзистор | Nexperia | Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 250 мВт, корпус SOT-23, Nexperia | по запросу | Под заказ |
 |
BC846B.215 | Nexperia | Биполярный транзистор (BJT) BC846B, NPN | 10,03 ₽ | Под заказ |
 |
BC846BLT1G | onsemi | Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 300 мВт, корпус SOT-23 | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BC846BLT1G /ONS/ транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC846BLT1G, ONS, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC846C транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC846C, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC847A,215 /NXP/ транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC847A, NXP, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC847ALT1G | onsemi | Транзистор биполярный NPN малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 45 В, корпус SOT-23 | 7,52 ₽ | Под заказ |
 |
BC847B транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC847B,215 /NXP/ транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC847BLT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
BC847BS,115 | Nexperia | Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
BC847C транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
BC847C LPF KINGTR | Diotec | Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобильное исполнение, корп | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
BC847CLT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
BC847CWT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента | 7,52 ₽ | Под заказ |
 |
BC848A | Diotec | Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
BC848C | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN | 5,85 ₽ | Под заказ |
 |
BC849C,215 транзистор | Nexperia | Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
BC856B транзистор | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
BC856BLT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента | 8,36 ₽ | Под заказ |
 |
BC857C транзистор | Nexperia | Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
BC857CLT1G | onsemi | Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-23 | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
BC858ALT1G | onsemi | Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23 | 5,02 ₽ | Под заказ |
 |
BC858C | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP | 8,36 ₽ | Под заказ |
 |
BC858CLT1G | onsemi | Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23 | 8,36 ₽ | Под заказ |
 |
BC860CW | Nexperia | Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC860CW, PNP | 1,67 ₽ | Под заказ |
 |
BCP69T1G транзистор ON Semiconductor | — | Биполярный транзистор (BJT) BCP69T1G, ON Semiconductor | по запросу | Под заказ |
 |
BCR141WH6327 | Infineon | Цифровой транзистор со встроенными резисторами NPN, 50 В, ток 100 мА, автомобильное исполнение, корпус SOT-323 | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
BCV72 | onsemi | Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BCV72, NPN | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
BCW60C | Siemens | Биполярный транзистор (BJT) BCW60C, PNP | по запросу | Под заказ |
| BCX53-16 SOT89 | — | Биполярный транзистор (BJT) BCX53-16, корпус SOT89 | по запросу | Под заказ | |
 |
BCX56TA | Diodes Inc. | Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89 | 24,24 ₽ | Под заказ |
 |
BFN26E6327HTSA1 | Infineon | РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1 | 56,85 ₽ | Под заказ |
 |
BFQ19SH6327XTSA1 | Infineon | РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1 | 25,92 ₽ | Под заказ |
 |
BFR520 | NXP Semiconductors | РЧ-транзистор BFR520 | 23,41 ₽ | Под заказ |
| BFR93AE6327 | Infineon Technologies | РЧ-транзистор BFR93AE6327 | по запросу | Под заказ | |
 |
BLP15M9S30Z | Ampleon | РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напряжение 32 В | 2 834,04 ₽ | Под заказ |
 |
BSS123 транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал | по запросу | Под заказ |
 |
BVSS138LT1G | onsemi | МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента | 9,20 ₽ | Под заказ |
 |
DMC2041UFDB-7 | Diodes Inc. | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB | 23,41 ₽ | Под заказ |
 |
DTA114EKAT146 | ROHM | Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
DTC114EKAT146 | ROHM | Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN | 3,34 ₽ | Под заказ |
 |
EL357N(B)(TA)-VG | Everlight | Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, корпус SOP-4. | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
EL3H4(B)(TA)-VG | Everlight | Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SOP-4. | 8,36 ₽ | Под заказ |
 |
EL3H7B | HXY MOSFET | Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В | 3,79 ₽ | Под заказ |
| EL817M(C)-F | Everlight | Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4 | по запросу | Под заказ | |
 |
ELQ3H4(TA)-G | Everlight | Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-16. | 25,92 ₽ | Под заказ |
 |
FDN306P | onsemi | Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
FDS4435BZ | onsemi | Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм | 9,20 ₽ | Под заказ |
 |
FDS4935A | onsemi | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал | 32,60 ₽ | Под заказ |
 |
FDS6990AS | onsemi | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал | 15,88 ₽ | Под заказ |
 |
FMM150-0075X2F | Littelfuse | МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F | 2 768,83 ₽ | Под заказ |
 |
FMMT493QTA | Diodes Inc. | Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN | 64,37 ₽ | Под заказ |
 |
FMMT493TA | Diodes Inc. | Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN | 12,54 ₽ | Под заказ |
 |
FMMT593QTA | Diodes Inc. | Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP | 48,49 ₽ | Под заказ |
| FMMT720 | CY(Changzhou Chaoyin Elec) | Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec) | по запросу | Под заказ | |
| FQA22N30 | onsemi / Fairchild | по запросу | Под заказ | ||
 |
FQA22P10 | onsemi | по запросу | Под заказ | |
 |
FQB6N80TM | onsemi | Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпус D2PAK | 61,03 ₽ | Под заказ |
| HTLP181GB-S | HXY MOSFET | Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА | по запросу | Под заказ | |
| BSM15GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon | IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление, лента/катушка | по запросу | Под заказ | |
| BSM35GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon | IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-2, 17 выводов | по запросу | Под заказ | |
 |
IMZC120R012M2HXKSA1 | Infineon | Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1 | по запросу | Под заказ |
| IRF3205SRB | International Rectifier | МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263 | по запросу | Под заказ | |
 |
IRF3205STRR | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK | по запросу | Под заказ |
 |
IRL520NSTRR | International Rectifier | MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak | по запросу | Под заказ |
| IRLML2803PBFCT-ND | International Rectifier | Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803 | по запросу | Под заказ | |
 |
IPA60R060C7XKSA1 | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный | 737,35 ₽ | Под заказ |
| IPB044N15N5 | ISC Semi | МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал | 174,31 ₽ | Под заказ | |
 |
IPB090N06N3GATMA1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263 | 101,99 ₽ | Под заказ |
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK | 465,65 ₽ | Под заказ |
 |
IRF5210S | International Rectifier | Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK | 37,62 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7306TRPBF | Infineon | МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента | 39,29 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7309TRPBF | Infineon | МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента | 35,11 ₽ | Под заказ |
|
IRF7351 | Infineon | Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351 | 15,05 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7842 | International Rectifier | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8 | 10,03 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7853TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8 | 70,22 ₽ | Под заказ |
 |
IRF7862PBF | Infineon | МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF | 328,55 ₽ | Под заказ |
 |
IRFR9024PbF | Vishay Siliconix | МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал | по запросу | Под заказ |
 |
IRL3302 | Infineon Technologies | по запросу | Под заказ | |
 |
IRL3302PBF | Infineon Technologies | по запросу | Под заказ | |
 |
IRL3302S | Infineon Technologies | по запросу | Под заказ | |
 |
IRLL024NPBF | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал | 26,75 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML0060TRPBF | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента | 9,20 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML6346TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение затвора 4,5 В | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
IRLML6401TRPBF | Infineon | Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MICRO3 | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
IRLMS6702TRPBF | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента | 9,20 ₽ | Под заказ |
 |
IRLR014NPBF | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал | 76,91 ₽ | Под заказ |
 |
IRLTS6342TRPBF | Infineon | МОП-транзистор (MOSFET) IRLTS6342TRPBF, N-канал, лента | 25,08 ₽ | Под заказ |
 |
IXBX75N170 | Littelfuse | МОП-транзистор (IGBT) IXBX75N170, высоковольтный | 7 292,43 ₽ | Под заказ |
 |
IXFK24N100Q3 IXYS | Littelfuse | Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, корпус TO-264AA | 173 945,68 ₽ | Под заказ |
 |
KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный | Kingbright | Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright | по запросу | Под заказ |
 |
KPC357NT0CTLD | Cosmo Electronics | Фототранзисторная оптопара Cosmo Electronics KPC357, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4 | по запросу | Под заказ |
| MBQ50T65FESC транзистор | — | МОП-транзистор (MOSFET) MBQ50T65FESC | по запросу | Под заказ | |
| MJE13005DF | — | Биполярный транзистор (BJT) MJE13005DF, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904-AQ | Diotec Semiconductor | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904-Q | onsemi | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904LT1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) MMBT3904LT1G, NPN, лента | 7,52 ₽ | Под заказ |
 |
MMBT3904LT1G. | onsemi | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | по запросу | Под заказ | |
| MMBT3904M 1N | — | по запросу | Под заказ | ||
 |
MMBT3904Q-7-F | Diodes Incorporated | по запросу | Под заказ | |
 |
MMBT3906 | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус SOT-23 | 4,18 ₽ | Под заказ |
 |
MMBTA92 | Diotec | Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,5 А, напряжение 300 В, корпус SOT-23 | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
MMSS8050L-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050L, NPN, лента | по запросу | Под заказ |
 |
MMUN2113LT1G | onsemi | Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы делителя 47 кОм | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
MRF587 | Motorola | РЧ-транзистор MRF587 | по запросу | Под заказ |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP Semiconductors | РЧ-транзистор (LDMOS) MRFE6S9045NR1 | по запросу | Под заказ |
 |
MUN5335DW1T1G | onsemi | Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя NPN/PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы 2,2 кОм, корпус S | 13,38 ₽ | Под заказ |
 |
NTH4L013N120M3S | onsemi | Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 | по запросу | Под заказ |
|
OR-3H7B-TP-G | Orient | Фототранзисторная оптопара Orient, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4 | 3,34 ₽ | Под заказ |
| OR-3H7C-TP-G | Orient | Оптопара Orient с фототранзисторным выходом, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4 | по запросу | Под заказ | |
|
PC120 оптопара транзисторная | Sharp | Оптопара Sharp PC120 с транзисторным выходом, изоляция 5000 В | по запросу | Под заказ |
 |
PDTC144EU.115 | Nexperia | Транзисторная сборка с встроенными резисторами PDTC144EU, NPN | по запросу | Под заказ |
 |
PZTA42T1G | onsemi | Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G | 12,54 ₽ | Под заказ |
| S8050 Транзистор | — | Биполярный транзистор (BJT) S8050, NPN | по запросу | Под заказ | |
 |
Si4420DY | onsemi | МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал | по запросу | Под заказ |
 |
SI7129DN-T1-GE3 | Vishay | МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал | 30,93 ₽ | Под заказ |
| BSS88E6325 | Siemens | Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кремниевый. | по запросу | Под заказ | |
 |
SISS27ADN-T1-GE3 | Vishay | P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус PowerPAK 1212-8S | 41,81 ₽ | Под заказ |
 |
SMMBT3904LT3G | onsemi | по запросу | Под заказ | |
 |
SS8050 Y1 | Goodwork | NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23 | по запросу | Под заказ |
 |
SS8050-Y1 | GOODWORK | Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN | по запросу | Под заказ |
|
SS8050/Y1 | Jiangsu Huaneng Elec | Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1 | 0,84 ₽ | Под заказ |
 |
STF10N95K5 | STMicroelectronics | МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный | 126,24 ₽ | Под заказ |
 |
E-ULN2068B | STMicroelectronics | Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала | по запросу | Под заказ |
 |
SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics | Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247 | по запросу | Под заказ |
 |
STW14NK50Z | STMicroelectronics | МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный | 210,67 ₽ | Под заказ |
 |
TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус | — | Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус | по запросу | Под заказ |
 |
2N3955 | Texas Instruments | Полевой транзистор (JFET) Texas Instruments State Manufacturing, N-канальный, кремниевый, корпус TO-71 | по запросу | Под заказ |
| TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W | — | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт | по запросу | Под заказ | |
 |
TIP122-TU | Jiangsu Huaneng Elec | Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN | по запросу | Под заказ |
|
ULN2001D(UMW) | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) | Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8 | 8,36 ₽ | Под заказ |
|
ULN2003ACM/TR | HGSEMI | 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус SOP-16 | 10,03 ₽ | Под заказ |
|
ULN2003ALM/TR | HGSEMI | 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус SOP-16 | 6,69 ₽ | Под заказ |
 |
ULN2003AM/TR | HGSEMI | Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16 | 9,20 ₽ | Под заказ |
| ULN2003AMT/TR | HGSEMI | 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус TSSOP-16 | по запросу | Под заказ | |
| ULN2003APG(C.N.HZA | — | Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003APG | по запросу | Под заказ | |
 |
C3M0021120K | Wolfspeed | Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4 | по запросу | Под заказ |
| Крепеж-для-транзисторов-П213-П217(фланец) | — | Радиатор-крепление для транзисторов серии П213-П217 (фланцевое) | 12,64 ₽ | Под заказ | |
| ПК-27 транзистор БСИТ 500В 18А | — | Транзистор биполярный статической индукции (БСИТ) ПК-27, напряжение 500 В, ток 18 А | по запросу | Под заказ | |
| Транзисторная матрица ОС1НТ251А | — | Транзисторная оптопара (матрица) ОС1НТ251А, отечественное исполнение | 1 913,24 ₽ | Под заказ | |
| Транзисторная матрица ОС1НТ251А2 | — | Транзисторная матрица ОС1НТ251А2 — транзисторы | 2 191,73 ₽ | Под заказ | |
| ЭКР1087ЕУ1 (аналог КР1033ЕУ5)ТРАНЗИСТОР минск | — | Стабилизатор напряжения ЭКР1087ЕУ1 (аналог КР1033ЕУ5), Минск | по запросу | Под заказ |
Производители и характеристики — Транзисторы
В категории 169 позиций от 42 производителей. У 87 позиций указана ориентировочная цена — от 0,84 ₽ за штуку. Фото — у 133 позиций. Ниже — какие значения ключевых характеристик встречаются в каталоге чаще всего: по ним удобно подобрать замену или уточнить запрос менеджеру.
Производители в категории
onsemi 31
Infineon 21
Nexperia 8
International Rectifier 6
Diotec 6
Diodes Inc. 5
Infineon Technologies 5
STMicroelectronics 4
Everlight 4
HGSEMI 4
Fischer Elektronik 4
Analog Devices 3
Ключевые характеристики и частые значения
- Число элементов1 (76), 2 (10), 6 (2)
- Число выводов3 (56), 8 (10), 4 (7), 2 (6), 6 (5), 17 (2), 5 (2)
- Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD) (65), Монтаж в отверстия (THT) (18)
- Максимальная рабочая температура150 °C (68), 175 °C (4), 225 °C (4) и ещё 4 значения
- Максимальная рассеиваемая мощность300 mW (17), 200 mW (6), 500 mW (5), 2 W (5), 250 mW (4), 2.5 W (4), 200 W (2), 150 mW (2) и ещё 27 значений
- КорпусSOT-23 (16), SOT-23-3 (12), SOIC (8), D2PAK (4), SOT (3), TO-236-3 (3), SOT-23-6 (2), SMD/SMT (2) и ещё 18 значений
О категории «Транзисторы»
Транзисторы — сборная категория на 34 позиции: силовые ключи International Rectifier вне основных серий, транзисторы HGSEMI, оптотранзисторные сборки Everlight, крепёж и изоляторы Fischer Elektronik для корпусов TO-220/TO-247.
Основной ассортимент ищите в профильных разделах — МОП-транзисторы, биполярные, IGBT: там сотни позиций с фильтрами по параметрам. Здесь же — сопутствующие товары: изоляционные прокладки, втулки, клипсы-прижимы для радиаторов. Не находится нужный ключ — пришлите партномер, проверим склад и мировых дистрибьюторов за один запрос.