FMMT493QTA — купить, цена, наличие
| Наименование: | FMMT493QTA |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013479 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
Биполярный транзистор FMMT493QTA относится к классу NPN и предназначен для использования в аналоговых и цифровых схемах. Он обладает характеристиками, позволяющими применять его в качестве ключа или усилителя электрического сигнала. Данный транзистор обеспечивает надежное переключение и усиление сигналов благодаря особенностям структуры NPN.
При проектировании печатной платы с использованием транзистора FMMT493QTA рекомендуется уделить особое внимание правильной трассировке сигнальных линий. Важно избегать пересечения сигнальных дорожек с силовыми линиями питания, чтобы минимизировать помехи и обеспечить стабильную работу устройства. Также необходимо предусмотреть достаточное расстояние между выводами базы и коллектора для предотвращения паразитных связей.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 100 V |
| hFE (мин.) | 20 |
| Дата выпуска | 2001-04-20 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 100 V |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 150 MHz |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRFR9024PbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал
- IRL520NSTRR — MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak
- IRLL024NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…