IRLML6401TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML6401TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013456 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MICRO3
IRLML6401TRPBF – это P-канальный MOSFET транзистор производства компании Infineon, предназначенный для работы с напряжением до -12 В и током до -4,3 А. Характеризуется низким сопротивлением открытого канала в 50 мОм, что обеспечивает минимальное падение напряжения и низкий уровень потерь мощности. Корпус MICRO3 позволяет использовать компактное решение в ограниченных пространствах.
В схемах данный транзистор выполняет функции ключа или усилителя сигнала, обеспечивая высокую эффективность переключения и малое энергопотребление. Его низкое сопротивление канала уменьшает нагрев и потери энергии, что особенно важно в мощных схемах и системах питания. С учётом параметров транзистора, расчёт схемы включает выбор соответствующего драйвера затвора, определение теплового режима и обеспечение достаточного охлаждения для поддержания стабильной работы в заданных условиях.
| Корпус | SOT-23 |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 4.3 A |
| Номинальный ток | -4.3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12 V |
| Сопротивление сток-исток | 50 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -12 V |
| Двухполярное напряжение питания | -12 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 210 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 830 pF |
| Дата выпуска | 1999-09-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.0226 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2026-06-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2027-12-31 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Мин. напряжение пробоя | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -550 mV |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 50 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 50 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 50 mΩ |
| Время нарастания | 32 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | -550 mV |
| Время задержки выключения | 250 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -12 V |
| Ширина | 1.397 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 35 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- BCX56TA — Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
- BFQ19SH6327XTSA1 — РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…