Infineon BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 005447 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-2, 17 выводов
IGBT-модуль Infineon BSM35GD120DN2E3224BOSA1 с N-каналом предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 1200 В и током до 50 А. Размещён в корпусе ECONO2-2 с 17 выводами, рассчитан на рассеиваемую мощность 280 Вт. Подходит для использования в схемах, требующих высокой эффективности преобразования энергии и устойчивости к высоким нагрузкам.
В промышленности и энергетике подобные модули востребованы в инверторах, преобразователях частоты и источниках питания. Электротранспорт и возобновляемая энергетика также активно используют IGBT-модули из-за их способности выдерживать высокие напряжения и работать с большими токами. Ключевые требования к таким модулям включают устойчивость к тепловым и электрическим перегрузкам, низкий уровень потерь и надёжность в условиях длительной эксплуатации.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Постоянный ток коллектора | 50 A |
| Высота | 17.5 mm |
| Дата выпуска | 1999-02-01 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. ток коллектора | 50 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Число элементов | 6 |
| Число выводов | 17 |
| Рассеиваемая мощность | 280 W |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 400 ns |
| Время задержки включения | 60 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
- BFQ19SH6327XTSA1 — РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM