STW14NK50Z — купить, цена, наличие
| Наименование: | STW14NK50Z |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013466 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
МОП-транзистор STW14NK50Z относится к категории высоковольтных транзисторов с N-каналом. Он предназначен для работы в цепях с высоким напряжением, обеспечивая эффективное управление мощными нагрузками. Благодаря использованию технологии MOSFET, данный транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим выбором для приложений, требующих быстрого и эффективного управления.
STW14NK50Z используется в схемах, где необходимо коммутировать значительные токи при высоком напряжении, например, в инверторах, источниках питания, драйверах электродвигателей и других силовых устройствах. При расчете схемы важно учитывать максимальное рабочее напряжение транзистора, его сопротивление в открытом состоянии и допустимый ток стока, чтобы обеспечить надежную и стабильную работу устройства.
| Корпус | TO-247 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 14 A |
| Номинальный ток | 14 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Сопротивление сток-исток | 380 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 20.15 mm |
| Входная ёмкость | 2 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 15.75 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 160 W |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 150 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 380 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 380 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 3.75 V |
| Время задержки выключения | 54 ns |
| Время задержки включения | 24 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 500 V |
| Масса | 4.535924 g |
| Ширина | 5.15 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (19 стр.) |
Позиция есть у 29 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- MMBT3904LT1G — Биполярный транзистор (BJT) MMBT3904LT1G, NPN, лента
- MMBT3904LT1G.
- MMBT3904LT1HTSA1
- MMBT3904M 1N
- MMBT3904Q-7-F
- MMBT3906 — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,2 А, напряжение 40 В, корпус SOT-23
- MMBTA92 — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,5 А, напряжение 300 В, корпус SOT-23
- MMSS8050L-TP — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050L, PNP, лента
- MMUN2113LT1G — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы делителя…
- MRF587 — РЧ-транзистор MRF587
- MRFE6S9045NR1 — РЧ-транзистор (LDMOS) MRFE6S9045NR1
- MUN5335DW1T1G — Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя NPN/PNP, 50 В, ток 100 мА, резист…