MRFE6S9045NR1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | MRFE6S9045NR1 |
| Производитель: | NXP Semiconductors |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013377 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
РЧ-транзистор (LDMOS) MRFE6S9045NR1
MRFE6S9045NR1 – мощный радиочастотный транзистор структуры LDMOS, предназначенный для работы в усилителях мощности передающих устройств. Обладает высокой линейностью и эффективностью, обеспечивая стабильное усиление сигнала в заданном диапазоне частот. Компонент рассчитан на работу в условиях повышенных нагрузок и напряжений, демонстрируя отличные характеристики в радиоэлектронных устройствах.
Конструкция транзистора обеспечивает устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрация и удары, что делает его подходящим для применения в мобильных и транспортных системах. Он также обладает хорошей стойкостью к воздействию повышенной влажности и температурных колебаний, благодаря чему может использоваться в неблагоприятных климатических условиях и вне помещений.
| Корпус | TO-270 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Напряжение пробоя сток-исток | 66 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 66 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Частота | 880 MHz |
| Коэффициент усиления | 22.1 dB |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Дата выпуска | 2007-10-23 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная частота | 1 GHz |
| Максимальная рабочая температура | 225 °C |
| Макс. выходная мощность | 10 W |
| Мин. напряжение пробоя | 66 V |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Выходная мощность | 10 W |
| Упаковка | Лента на катушке |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Тестовый ток | 350 mA |
| Тестовое напряжение | 28 V |
| Номинальное напряжение | 66 V |
| Масса | 529.540742 mg |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (15 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FQA22N30
- FQA22P10