MRFE6S9045NR1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | MRFE6S9045NR1 |
| Производитель: | NXP Semiconductors |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013377 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
РЧ-транзистор (LDMOS) MRFE6S9045NR1
MRFE6S9045NR1 – мощный радиочастотный транзистор структуры LDMOS, предназначенный для работы в усилителях мощности передающих устройств. Обладает высокой линейностью и эффективностью, обеспечивая стабильное усиление сигнала в заданном диапазоне частот. Компонент рассчитан на работу в условиях повышенных нагрузок и напряжений, демонстрируя отличные характеристики в радиоэлектронных устройствах.
Конструкция транзистора обеспечивает устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрация и удары, что делает его подходящим для применения в мобильных и транспортных системах. Он также обладает хорошей стойкостью к воздействию повышенной влажности и температурных колебаний, благодаря чему может использоваться в неблагоприятных климатических условиях и вне помещений.
| Корпус | TO-270 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Напряжение пробоя сток-исток | 66 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 66 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Частота | 880 MHz |
| Коэффициент усиления | 22.1 dB |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Дата выпуска | 2007-10-23 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная частота | 1 GHz |
| Максимальная рабочая температура | 225 °C |
| Макс. выходная мощность | 10 W |
| Мин. напряжение пробоя | 66 V |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Выходная мощность | 10 W |
| Упаковка | Лента на катушке |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Тестовый ток | 350 mA |
| Тестовое напряжение | 28 V |
| Номинальное напряжение | 66 V |
| Масса | 529.540742 mg |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (15 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BCX53-16 SOT89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX53-16, корпус SOT89
- BCX56-16 SOT-89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX56-16, корпус SOT-89
- BCX56TA — Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
- BFQ19SH6327XTSA1 — РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…