ELQ3H4(TA)-G — купить, цена, наличие
| Наименование: | ELQ3H4(TA)-G |
| Производитель: | Everlight |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 008803 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-16.
Четырёхканальная фототранзисторная оптопара ELQ3H4(TA)-G производства компании Everlight предназначена для передачи сигналов между гальванически развязанными участками схемы. Изоляция между входом и выходом составляет 3,75 кВ переменного тока, что обеспечивает высокий уровень защиты. Встроенные транзисторы обеспечивают ток нагрузки до 50 мА. Корпус устройства – SSOP-16, подходящий для поверхностного монтажа.
Оптопары этого типа часто используются в источниках питания, промышленных контроллерах и системах автоматизации. Один из распространённых просчётов при проектировании заключается в недостаточном учёте времени переключения транзисторов. Это может привести к неправильному функционированию схемы, особенно в быстродействующих цифровых системах, где задержки могут вызвать сбои синхронизации или некорректную передачу данных.
| Серия | ELQ3H4-G |
| Количество каналов | 4 |
| Напряжение изоляции | 3750Vrms |
| Current Transfer Ratio (Min) | 20% @ 1mA |
| Current Transfer Ratio (Max) | 300% @ 1mA |
| Время нарастания/спада (тип.) | 5µs, 3µs |
| Тип входа | AC, DC |
| Тип выхода | Транзистор |
| Выходное напряжение (Макс.) | 80V |
| Ток выхода/канала | 50mA |
| Напряжение прямое (Vf) (тип.) | 1.2V |
| Ток прямой постоянный ток (If) (макс.) | 60 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (макс.) | 200mV |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 110°C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус/Упаковка | 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус устройства поставщика | 16-SSOP |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Транзисторы
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
- DTC114EKAT146 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4