BC857CLT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC857CLT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013398 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-23
Биполярный транзистор BC857CLT1G типа PNP предназначен для использования в маломощных цепях. Он имеет максимальное рабочее напряжение коллектора 45 В и способен пропускать постоянный ток до 100 мА. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 225 мВт, что делает его подходящим для применения в малогабаритных устройствах. Корпус SOT-23 обеспечивает компактность и удобство монтажа на печатную плату.
Компоненты данного типа востребованы в автомобильной промышленности, бытовой электронике и системах безопасности. В автомобильной отрасли важны устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур. Бытовая техника требует высокой надежности и минимальных размеров, чтобы экономить пространство внутри устройств. В системах безопасности особое внимание уделяется стабильности параметров и низкому энергопотреблению.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 45 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 940 µm |
| hFE (мин.) | 420 |
| Дата выпуска | 1996-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 45 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -45 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 29 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN