SS8050/Y1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SS8050/Y1 |
| Производитель: | Jiangsu Huaneng Elec |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 012871 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1
Биполярный NPN-транзистор SS8050 группы Y1 от Jiangsu Huaneng Elec выполнен в корпусе SOT-23 (TO-236-3, SC-59) для поверхностного монтажа. Он держит ток коллектора до 1,5 А при напряжении пробоя коллектор–эмиттер 25 В и рассеивает до 500 мВт. Напряжение насыщения не превышает 0,5 В при Ic 800 мА и Ib 80 мА. Минимальный hFE равен 40 при 800 мА и Vce 1 В, частота перехода 100 МГц, ICBO не более 100 нА, Tj от −55 до 150 °C.
Типичное место такого транзистора — ключ на реле, светодиодную линейку или зуммер с управлением от вывода микроконтроллера. Частая ошибка — рассчитывать базовый резистор по усилению без запаса. На больших токах hFE проседает, ключ выходит из насыщения, и маленький SOT-23 перегревается задолго до 1,5 А. Базовый ток лучше закладывать по условиям измерения Vce(sat) (800 мА при 80 мА базы), а на индуктивную нагрузку ставить обратный диод.
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 1.5 A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 25 V |
| Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic | 0.5V @ 80mA, 800mA |
| Ток отсечки коллектора (Макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce | 40 @ 800mA, 1V |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 500 mW |
| Частота перехода | 100MHz |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус/Упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус устройства поставщика | SOT-23 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN
- PC120 оптопара транзисторная — Оптопара Sharp PC120 с транзисторным выходом, изоляция 5000 В
- PDTC144EU.115 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами PDTC144EU, NPN
- PMBT3904,215 — Биполярный транзистор (BJT) PMBT3904, NPN
- PZTA42T1G — Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
- S8050 Транзистор — Биполярный транзистор (BJT) S8050, NPN
- SCT015W120G3-4AG — Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
- Si4420DY — МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал
- SI7129DN-T1-GE3 — МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT1G