SS8050/Y1 — купить, цена, наличие

MPN SS8050/Y1 · Jiangsu Huaneng Elec
Наименование:SS8050/Y1
Производитель:Jiangsu Huaneng Elec
Категория:Транзисторы
Артикул:012871
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 0.59 ₽ Ориентир, на 08.11.2026. Точная цена — в счёте

Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1

Биполярный NPN-транзистор SS8050 группы Y1 от Jiangsu Huaneng Elec выполнен в корпусе SOT-23 (TO-236-3, SC-59) для поверхностного монтажа. Он держит ток коллектора до 1,5 А при напряжении пробоя коллектор–эмиттер 25 В и рассеивает до 500 мВт. Напряжение насыщения не превышает 0,5 В при Ic 800 мА и Ib 80 мА. Минимальный hFE равен 40 при 800 мА и Vce 1 В, частота перехода 100 МГц, ICBO не более 100 нА, Tj от −55 до 150 °C.

Типичное место такого транзистора — ключ на реле, светодиодную линейку или зуммер с управлением от вывода микроконтроллера. Частая ошибка — рассчитывать базовый резистор по усилению без запаса. На больших токах hFE проседает, ключ выходит из насыщения, и маленький SOT-23 перегревается задолго до 1,5 А. Базовый ток лучше закладывать по условиям измерения Vce(sat) (800 мА при 80 мА базы), а на индуктивную нагрузку ставить обратный диод.

Тип транзистораNPN
Ток коллектора (Ic) (Макс.)1.5 A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)25 V
Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic0.5V @ 80mA, 800mA
Ток отсечки коллектора (Макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce40 @ 800mA, 1V
Мощность рассеяния (Макс.)500 mW
Частота перехода100MHz
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Корпус/УпаковкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус устройства поставщикаSOT-23
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать