SS8050-Y1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SS8050-Y1 |
| Производитель: | GOODWORK |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 012891 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN
Биполярный транзистор SS8050-Y1 относится к категории NPN и предназначен для использования в аналоговых и цифровых схемах. Он обеспечивает эффективное усиление сигнала и может использоваться как переключающий элемент или усилитель напряжения.
В схемах, где требуется работа с высокими частотами, часто возникает ошибка, когда данный транзистор ошибочно принимается за высокочастотный компонент из-за его универсальности. В результате схема может не достичь требуемых характеристик, так как транзистор не рассчитан на работу с высокими частотами, что приводит к искажению сигнала и снижению общей производительности устройства.
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 1.5 A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 25 V |
| Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic | 0.5V @ 80mA, 800mA |
| Ток отсечки коллектора (Макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce | 40 @ 800mA, 1V |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 500 mW |
| Частота перехода | 100MHz |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус/Упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус устройства поставщика | SOT-23 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003ALM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003AM/TR — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16
- ULN2003AMT/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпу…