TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — купить, цена, наличие
| Наименование: | TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус |
| Производитель: | |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013468 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
Фототранзистор TEFT4300 предназначен для регистрации инфракрасного излучения с длиной волны 940 нм. Корпус прибора выполнен в чёрном цвете, что способствует снижению внешнего светового шума и повышению чувствительности. Диаметр корпуса составляет 3 мм, что позволяет использовать его в компактных устройствах, требующих высокой точности и надёжности передачи оптических сигналов.
В отраслях автоматизации и робототехники такие фототранзисторы востребованы благодаря способности работать с ИК-излучением, обеспечивая точное управление и позиционирование. В системах безопасности и охранных комплексах они применяются для детектирования движения и обнаружения присутствия, где важна устойчивость к внешним помехам. В медицинских приборах и диагностическом оборудовании эти элементы используются для контроля уровня освещённости и анализа биологических сигналов, где требуется высокая чувствительность и стабильность работы.
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 70 V |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 50 mA |
| Current - Dark (Id) (Max) | 200 nA |
| Длина волны | 925nm |
| Угол обзора | 60° |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 100 mW |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Ориентация | Top View |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ~ 100°C |
| Корпус/Упаковка | Radial, 3mm Dia (T-1) |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FMMT720 — Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec)
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
- IPB110N20N3LFATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK