BC858C — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC858C |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013447 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
BC858C — это биполярный транзистор типа PNP, предназначенный для использования в различных электронных устройствах и схемах. Он обладает характеристиками, позволяющими эффективно управлять электрическими сигналами и обеспечивать необходимую производительность в схемах усиления, переключения и стабилизации.
Конструкция транзистора обеспечивает хорошую устойчивость к внешним воздействиям, таким как вибрации и механические удары, благодаря прочному корпусу и качественной герметизации. Компонент также демонстрирует стабильную работу в условиях повышенной влажности и широкого диапазона температур, что делает его подходящим для эксплуатации в неблагоприятных средах. Однако точные значения предельных параметров следует уточнять в технической документации производителя.
| Корпус | TO-226-3 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 30 V |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение усиления на полосу | 200 MHz |
| hFE (мин.) | 420 |
| Дата выпуска | 1994-01-01 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. напряжение пробоя | 30 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD), Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | PNP |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| RoHS | Не соответствует |
| Частота перехода | 150 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный