FQB6N80TM — купить, цена, наличие

MPN FQB6N80TM · onsemi
Наименование:FQB6N80TM
Производитель:onsemi
Категория:Транзисторы
Артикул:013471
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 85.27 ₽ Ориентир, обновлена вчера. Точная цена — в счёте

Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпус D2PAK

Транзистор FQB6N80TM производства компании onsemi представляет собой N-канальный MOSFET типа QFET, предназначенный для работы с высокими напряжениями до 800 В. При этом он способен пропускать ток до 5,8 А, обладая сопротивлением открытого канала 1,95 Ом. Компонент упакован в корпус D2PAK, обеспечивающий хорошие тепловые характеристики и надежность при эксплуатации.

В схемах, где используется данный транзистор, распространенной ошибкой является недооценка требований к охлаждению из-за высокого сопротивления канала. Это может привести к перегреву и выходу транзистора из строя, особенно при работе вблизи предельных значений напряжения и тока. При проектировании рекомендуется тщательно рассчитывать тепловое сопротивление и использовать радиаторы соответствующего размера.

КорпусD2PAK
China RoHSНе соответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)5.8 A
Номинальный ток5.8 A
Напряжение пробоя сток-исток800 V
Сопротивление сток-исток1.95 Ω
Напряжение сток-исток (Vdss)800 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада45 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)30 V
Высота4.83 mm
Входная ёмкость1.5 nF
Дата выпуска2000-11-10
Без свинцаБез свинца
Длина10.67 mm
Статус жизненного циклаСнят с производства
Дата последней закупки (LTB)2022-06-23
Дата последней поставки (LTD)2022-12-23
Статус жизненного цикла производителяСнят с производства
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность158 W
Мин. напряжение пробоя800 V
Минимальная рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов2
Рассеиваемая мощность3.13 W
Rds(on) макс.1.95 Ω
REACH SVHCНет
Сопротивление1.95 Ω
Время нарастания70 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Пороговое напряжение5 V
Время задержки выключения65 ns
Время задержки включения30 ns
Номинальное напряжение (DC)800 V
Масса1.31247 g
Ширина9.65 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (2 стр.)
Rohs StatementСкачать (3 стр.)
AvnetRochester ElectronicsArrow ElectronicsFlip ElectronicsRS (Formerly Allied Electronics)Microchip USAComponent SearchIC Components Ltd.Esaler ElectronicICSuperman Co.RC ElectronicsZTZ Technology LimitedSHENGYU ELECTRONICSAnlinkdaLixincClassic ComponentsEasevSuntronicCytech Systems

Позиция есть у 19 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.