FQB6N80TM — купить, цена, наличие
| Наименование: | FQB6N80TM |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013471 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпус D2PAK
Транзистор FQB6N80TM производства компании onsemi представляет собой N-канальный MOSFET типа QFET, предназначенный для работы с высокими напряжениями до 800 В. При этом он способен пропускать ток до 5,8 А, обладая сопротивлением открытого канала 1,95 Ом. Компонент упакован в корпус D2PAK, обеспечивающий хорошие тепловые характеристики и надежность при эксплуатации.
В схемах, где используется данный транзистор, распространенной ошибкой является недооценка требований к охлаждению из-за высокого сопротивления канала. Это может привести к перегреву и выходу транзистора из строя, особенно при работе вблизи предельных значений напряжения и тока. При проектировании рекомендуется тщательно рассчитывать тепловое сопротивление и использовать радиаторы соответствующего размера.
| Корпус | D2PAK |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 5.8 A |
| Номинальный ток | 5.8 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Сопротивление сток-исток | 1.95 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 45 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 4.83 mm |
| Входная ёмкость | 1.5 nF |
| Дата выпуска | 2000-11-10 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2022-06-23 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2022-12-23 |
| Статус жизненного цикла производителя | Снят с производства |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 158 W |
| Мин. напряжение пробоя | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 3.13 W |
| Rds(on) макс. | 1.95 Ω |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 1.95 Ω |
| Время нарастания | 70 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 5 V |
| Время задержки выключения | 65 ns |
| Время задержки включения | 30 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 800 V |
| Масса | 1.31247 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (2 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(UMW)
- FDS4435BZ(XBLW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FMMT720 — Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec)
- FQA22N30
- FQA22P10