International Rectifier IRL520NSTRR — купить, цена, наличие
| Наименование: | International Rectifier IRL520NSTRR |
| Производитель: | International Rectifier |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 003720 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak
Это мощное полевое МОП-соединение с изолированным затвором (MOSFET) производства компании International Rectifier, модель IRL520NS, предназначено для работы с напряжениями до 100 В. Н-канальный HEXFET выполнен в корпусе D2-Pak, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую токовую нагрузку. Компонент предназначен для коммутации и управления мощными нагрузками в электронных схемах.
В случае неправильного выбора и установки радиатора охлаждения может возникнуть перегрев транзистора, что приведёт к снижению его долговечности и выходу из строя. Также распространённой ошибкой является недостаточное внимание к сопротивлению открытого канала, которое влияет на потери мощности и эффективность схемы. При работе с HEXFET необходимо учитывать его динамические характеристики и особенности управления затвором, чтобы избежать ложного срабатывания или повреждения устройства.
| Корпус | TO-263-3 |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Сопротивление сток-исток | 220 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 2001-04-03 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC860CW — Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC860CW, PNP
- BCP69T1G транзистор ON Semiconductor — Биполярный транзистор (BJT) BCP69T1G, ON Semiconductor
- BCR141WH6327 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами NPN, 50 В, ток 100 мА, автомобильное испол…
- BCV72 — Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BCV72, NPN
- BCW60C — Биполярный транзистор (BJT) BCW60C, PNP
- BCX53-16 SOT89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX53-16, корпус SOT89
- BCX56TA — Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1