2N7002LT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | 2N7002LT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013420 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT-23
Транзистор MOSFET 2N7002LT1G производства компании onsemi относится к категории N-канальных приборов, рассчитанных на напряжение до 60 В. Он обладает током стока ±115 мА и сопротивлением открытого канала 7,5 Ом. Корпус прибора выполнен в стандартном исполнении SOT-23, что обеспечивает компактность и удобство монтажа.
Этот транзистор находит применение в импульсных источниках питания, где используется как ключ в цепях управления и защиты. Также он подходит для схем переключения нагрузки в аудиоаппаратуре и бытовой технике, выполняя функции коммутации и регулировки тока. Благодаря низкому сопротивлению канала, данный транзистор эффективен в регуляторах напряжения и стабилизаторах, обеспечивая минимальные потери энергии.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 115 mA |
| Номинальный ток | 115 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 7.5 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 1.11 mm |
| Входная ёмкость | 50 pF |
| Дата выпуска | 2000-12-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.04 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Номинальное Vgs | 2.5 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 7.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 7.5 Ω |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 40 ns |
| Время задержки включения | 20 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 60 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Позиция есть у 41 поставщика на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- SI7129DN-T1-GE3 — МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT3G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8