SI7129DN-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI7129DN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013459 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
Мощный P-канальный МОП-транзистор Vishay с напряжением сток-исток −30 В и постоянным током стока до 35 А при нормированной температуре корпуса. Сопротивление открытого канала составляет 11,4 мОм, допустимое напряжение затвор-исток 20 В, входная ёмкость 3,345 нФ, время спада 14 нс. Рассеиваемая мощность равна 3,8 Вт при температуре окружающей среды и 52,1 Вт при температуре корпуса, максимальная температура перехода 150 °C. Корпус предназначен для поверхностного монтажа, его длина 3,05 мм, высота 1,12 мм. Выводы покрыты оловом, исполнение без свинца, требованиям China RoHS прибор не соответствует. Транзистор находится в производстве.
Такой ключ обычно ставят в верхнее плечо питания: в load switch, в защиту от переполюсовки и в схему отключения аккумулятора в портативной технике. P-канал здесь удобен тем, что не требует бутстрепа и драйвера верхнего плеча. Разницу между 3,8 и 52,1 Вт определяет только теплоотвод, поэтому под площадку стока стоит залить сплошной медный полигон и прошить его рядом переходных отверстий на внутренние слои. Между затвором и истоком поставьте подтягивающий резистор, который удерживает ключ закрытым при старте. Если входное напряжение близко к пределу затвора, ограничьте Vgs стабилитроном. Частая ошибка заключается в том, что затвор напрямую заводят на землю.
| Корпус | TO-252-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 35 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 11.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Время спада | 14 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 3.345 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.05 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 52.1 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -50 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 11.4 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 11.4 mΩ |
| Время нарастания | 43 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 36 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Ширина | 3.05 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright
- KPC357NT0CTLD — Фототранзисторная оптопара Cosmo Electronics KPC357, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- MBQ50T65FESC транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) MBQ50T65FESC
- MJE13005DF — Биполярный транзистор (BJT) MJE13005DF, NPN
- MMBT3904 RFG
- MMBT3904_R1_00001
- MMBT3904-1AM(RANGE:100-300)
- MMBT3904-7-F
- MMBT3904-AQ
- MMBT3904-E
- MMBT3904-G(RANGE:100-300)
- MMBT3904-Q