SI7129DN-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI7129DN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013459 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
МОП-транзистор SI7129DN-T1-GE3 представляет собой устройство с N-каналом, предназначенное для управления электрическими нагрузками и коммутации сигналов. В описании отсутствует информация о конкретных значениях напряжения, тока, мощности или других электрических параметров, однако типовые характеристики подобных транзисторов позволяют использовать их в широком диапазоне напряжений и токов.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание трассировке питания и земли. Широкие дорожки обеспечат низкое сопротивление и уменьшат падение напряжения, что особенно важно при работе с большими токами. Также следует избегать пересечения сигнальных и силовых дорожек, чтобы минимизировать электромагнитные помехи и обеспечить стабильную работу устройства.
| Корпус | TO-252-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 35 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 11.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Время спада | 14 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 3.345 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.05 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 52.1 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -50 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 11.4 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 11.4 mΩ |
| Время нарастания | 43 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 36 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Ширина | 3.05 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003ALM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003AM/TR — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16
- ULN2003AMT/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпу…