SISS27ADN-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SISS27ADN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013467 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус PowerPAK 1212-8S
Vishay SISS27ADN-T1-GE3 — это мощный p-канальный транзистор типа MOSFET третьего поколения TrenchFET компании Vishay, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 30 В. Сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 5.1 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Мощность рассеивания достигает 57 Вт, что делает данный транзистор подходящим для управления большими нагрузками. Корпус PowerPAK 1212-8S обеспечивает эффективную теплоотдачу и устойчивость к механическим воздействиям.
Конструкция транзистора предусматривает эксплуатацию в условиях повышенной вибрации, характерной для автомобильной электроники и промышленных систем, а также выдерживает широкий диапазон рабочих температур, что позволяет использовать его в суровых климатических условиях. Высокий уровень влагозащиты корпуса снижает риск коррозии и повышает надежность работы в условиях высокой влажности.
| Постоянный ток стока (ID) | 50 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 5.1 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 830 µm |
| Дата выпуска | 2017-03-22 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 57 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 4.8 W |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 60 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- CM1000E3U-34NF — Силовой полупроводниковый модуль (IGBT) Powerex CM1000E3U-34NF
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM