BC860CW — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC860CW |
| Производитель: | Nexperia |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013427 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC860CW, PNP
Маломощный биполярный транзистор структуры PNP производства Nexperia, один транзистор в миниатюрном корпусе SOT-323 длиной 2,2 мм и высотой 1 мм. Напряжение коллектор-эмиттер — 45 В, коллектор-база — -50 В, эмиттер-база — -5 В, ток коллектора до 100 мА. Коэффициент усиления hFE не ниже 420, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 мВ, граничная частота 100 МГц. Выводы покрыты оловом, изделие соответствует China RoHS, выпускается с 1993 года и остаётся в производстве.
Благодаря большому усилению такой транзистор подходит для входных каскадов звуковых предусилителей, токовых зеркал и ключей верхнего плеча на малых токах. Масса корпуса ничтожна, поэтому вибрацию он переносит хорошо, и слабым местом скорее окажутся паяные соединения на прогибающейся плате. Пластиковый корпус не герметичен: во влажной среде плату стоит покрыть защитным лаком, а компоненты до пайки хранить в упаковке с влагопоглотителем. С ростом температуры hFE увеличивается, а отвести тепло такой маленький корпус почти не может. Поэтому режим лучше стабилизировать резистором в цепи эмиттера и не нагружать прибор по мощности до предела.
| Корпус | SOT-323 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | -50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 45 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5 V |
| Высота | 1 mm |
| hFE (мин.) | 420 |
| Дата выпуска | 1993-10-01 |
| Длина | 2.2 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Ширина | 1.35 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IXFK24N100Q3 IXYS — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, к…
- KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright
- KPC357NT0CTLD — Фототранзисторная оптопара Cosmo Electronics KPC357, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- MBQ50T65FESC транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) MBQ50T65FESC
- MJE13005DF — Биполярный транзистор (BJT) MJE13005DF, NPN
- MMBT3904 RFG
- MMBT3904_R1_00001
- MMBT3904-1AM(RANGE:100-300)
- MMBT3904-7-F
- MMBT3904-AQ
- MMBT3904-E
- MMBT3904-G(RANGE:100-300)