BC860CW — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC860CW |
| Производитель: | Nexperia |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013427 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC860CW, PNP
BC860CW — сдвоенный биполярный транзистор типа PNP, предназначенный для использования в аналоговых и цифровых схемах. Он обеспечивает надежное управление током и напряжение в цепях, требующих высокой точности и стабильности работы. Сдвоенная структура позволяет экономить место на плате и упрощает схемотехнические решения.
Конструкция транзистора обеспечивает хорошую устойчивость к воздействию вибрации, что делает его подходящим для применения в условиях механических нагрузок. Влажностные воздействия также не представляют серьезной угрозы благодаря герметичной конструкции, защищающей полупроводниковый кристалл. Диапазон рабочих температур компонента позволяет использовать его в различных климатических условиях, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне температур окружающей среды.
| Корпус | SOT-323 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | -50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 45 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5 V |
| Высота | 1 mm |
| hFE (мин.) | 420 |
| Дата выпуска | 1993-10-01 |
| Длина | 2.2 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Ширина | 1.35 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP