FDS4435BZ — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS4435BZ |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013453 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
Транзистор FDS4435BZ производства компании onsemi представляет собой P-канальный MOSFET типа PowerTrench, предназначенный для работы с обратным напряжением до -30 В. Он способен выдерживать постоянный ток до -8,8 А, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала всего 20 мОм, что способствует уменьшению потерь на нагрев.
При подборе аналога данного транзистора важно учитывать не только значения напряжения и тока, но и сопротивление открытого канала, так как оно напрямую влияет на эффективность и тепловыделение в схеме. Кроме того, необходимо обратить внимание на тип корпуса и расположение выводов, чтобы обеспечить корректный монтаж и подключение.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 8.8 A |
| Номинальный ток | -8.8 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 20 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 38 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 25 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 1.845 nF |
| Дата выпуска | 2005-07-19 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -2.1 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 20 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 20 MΩ |
| Время нарастания | 13 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | -2.1 V |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Масса | 130 mg |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(UMW)
- FDS4435BZ(XBLW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- BC847BS,115 — Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia
- BC847C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN
- BC847C LPF KINGTR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC847CLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента
- BC847CWT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента
- BC848A — Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN
- BC848C — Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN