FDS4435BZ — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS4435BZ |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013453 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
Транзистор FDS4435BZ производства компании onsemi представляет собой P-канальный MOSFET типа PowerTrench, предназначенный для работы с обратным напряжением до -30 В. Он способен выдерживать постоянный ток до -8,8 А, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала всего 20 мОм, что способствует уменьшению потерь на нагрев.
При подборе аналога данного транзистора важно учитывать не только значения напряжения и тока, но и сопротивление открытого канала, так как оно напрямую влияет на эффективность и тепловыделение в схеме. Кроме того, необходимо обратить внимание на тип корпуса и расположение выводов, чтобы обеспечить корректный монтаж и подключение.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 8.8 A |
| Номинальный ток | -8.8 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 20 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 38 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 25 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 1.845 nF |
| Дата выпуска | 2005-07-19 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -2.1 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 20 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 20 MΩ |
| Время нарастания | 13 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | -2.1 V |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Масса | 130 mg |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 38 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- 2 N 3904 — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904, NPN
- 2N2222AUA/TR — NPN-транзистор общего назначения 2N2222A, напряжение 50 В, ток 800 мА, корпус SMD 4-Pin,…
- 2N3904-TA — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904-TA, NPN
- 2N3904-TA(RANGE:200-300) — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TA, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300
- 2N3955 — Полевой транзистор (JFET) Solid State Manufacturing, N-канальный, кремниевый, корпус TO-71
- 2N7002LT1G — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT…
- 2SC2705-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2705-Y, NPN
- 2SC2712-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2712-Y, NPN
- 2П308В9 Транзистор — Транзистор 2П308В9, отечественное исполнение
- 8NM80G-TN3-R — N-канальный силовой MOSFET, ток 8 А, напряжение 800 В, сопротивление канала 0.78 Ом
- AD8403A1 — Цифровой потенциометр Analog Devices AD8403, 4 канала