FDS4935A — купить, цена, наличие

MPN FDS4935A · onsemi
Наименование:FDS4935A
Производитель:onsemi
Категория:Транзисторы
Артикул:013462
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 31.77 ₽ Ориентир, на 15.09.2026. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал

МОП-транзистор сдвоенный P-канальный FDS4935A представляет собой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления электрическими сигналами и токами. Сдвоенная структура позволяет экономить место на плате и упрощает схемы управления. В основе работы лежит принцип полевого эффекта, используемый в технологии MOSFET, что обеспечивает высокую эффективность и низкое энергопотребление.

Использование сдвоенного транзистора позволяет реализовать симметричные или дифференциальные схемы, часто применяемые в источниках питания, драйверах двигателей и усилителях звука. Выбор сдвоенных MOSFET вместо отдельных транзисторов оправдан там, где требуется компактность и согласованность параметров каналов. При этом важно помнить о специфике P-канальных устройств, которые открываются при отрицательном напряжении относительно истока, что может потребовать коррекции схемных решений по сравнению с N-канальными аналогами.

КорпусSOIC
China RoHSСоответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)7 A
Ток7 A
Номинальный ток-7 A
Напряжение пробоя сток-исток-30 V
Сопротивление сток-исток23 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)-30 V
Двухполярное напряжение питания-30 V
Конфигурация элементовСдвоенный
Время спада25 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота1.75 mm
Входная ёмкость1.233 nF
Дата выпуска2002-07-18
Без свинцаБез свинца
Длина5 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность2 W
Мин. напряжение пробоя30 V
Минимальная рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs-1.6 V
Количество каналов2
Число элементов2
Число выводов8
УпаковкаОтрезок ленты
Рассеиваемая мощность900 mW
Радиационное упрочнениеНет
Rds(on) макс.23 mΩ
REACH SVHCДа
Сопротивление23 MΩ
Время нарастания10 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Тип выводаSMD/SMT
Пороговое напряжение-1.6 V
Время задержки выключения48 ns
Время задержки включения13 ns
Напряжение30 V
Номинальное напряжение (DC)-30 V
Ширина4 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (7 стр.)
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Транзисторы

Все товары категории «Транзисторы»