EL3H4(B)(TA)-VG — купить, цена, наличие
| Наименование: | EL3H4(B)(TA)-VG |
| Производитель: | Everlight |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 008796 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SOP-4.
Фототранзисторная оптопара EL3H4(B)(TA)-VG производства компании Everlight предназначена для передачи сигнала между гальванически развязанными участками схемы. Она обеспечивает высокий уровень изоляции с напряжением пробоя до 3,75 кВ переменного тока и способна работать при напряжении до 80 В. Компонент выполнен в стандартном корпусе SOP-4, что позволяет легко интегрировать его в различные электронные устройства.
Оптопары данного типа часто используются в системах управления и защиты электроприводов, источниках питания и промышленной автоматике. Одной из распространённых ошибок является неправильное определение минимального тока светодиода, приводящее к ненадежной работе фототранзистора. В результате этого схема может терять сигнал или некорректно передавать данные, что особенно критично в ответственных приложениях.
| China RoHS | Соответствует |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Количество каналов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM