BC856BLT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC856BLT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013386 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
Биполярный транзистор BC856BLT1G выполнен по технологии PNP и поставляется в виде ленты. Он предназначен для использования в схемах, требующих усиления тока или напряжения, а также переключения сигналов. Характеристики компонента соответствуют стандарту для подобных устройств, обеспечивая надёжное функционирование в заданных условиях эксплуатации.
В схемотехнике данный транзистор выполняет функцию усилительного или коммутирующего элемента. Его применение позволяет создавать каскады усиления, стабилизаторы напряжения, генераторы и ключевые схемы. В расчётах учитывают коэффициенты передачи тока базы, напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора и базу, а также максимально допустимые рабочие напряжения и токи. Выбор транзистора зависит от конкретных требований схемы, включая частоту сигнала, уровень нагрузки и условия эксплуатации.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 65 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 940 µm |
| hFE (мин.) | 220 |
| Дата выпуска | 1996-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 65 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -65 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- OR-3H7B-TP-G — Фототранзисторная оптопара Orient, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- OR-3H7C-TP-G — Оптопара Orient с фототранзисторным выходом, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- PC120 оптопара транзисторная — Оптопара Sharp PC120 с транзисторным выходом, изоляция 5000 В
- PDTC144EU.115 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами PDTC144EU, NPN
- PZTA42T1G — Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
- S8050 Транзистор — Биполярный транзистор (BJT) S8050, PNP