PZTA42T1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | PZTA42T1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013438 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
Биполярный транзистор PZTA42T1G предназначен для использования в качестве усилительного и переключательного элемента в электронных схемах. Он относится к классу BJT-компонентов, работающих по принципу управления током. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает эффективное усиление сигнала и коммутацию электрических цепей.
Отрасли, в которых востребованы подобные транзисторы, включают автомобильную электронику, промышленную автоматику и бытовую технику. В автомобильной электронике к таким транзисторам предъявляются повышенные требования по надежности и устойчивости к вибрациям, температурным перепадам и электромагнитным помехам. В промышленной автоматике важны высокая скорость переключения и способность работать в условиях повышенной нагрузки.
| Корпус | SOT-223-4 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 300 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 300 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | 500 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 50 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 50 MHz |
| Высота | 1.57 mm |
| hFE (мин.) | 40 |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 6.5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 300 V |
| Макс. ток коллектора | 500 mA |
| Максимальная частота | 50 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 300 V |
| Масса | 4.535924 g |
| Ширина | 3.5 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
- DTC114EKAT146 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085