DTA114EKAT146 — купить, цена, наличие
| Наименование: | DTA114EKAT146 |
| Производитель: | ROHM |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013409 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
Цифровой транзистор со встроенными резисторами серии DTA114EKAT146 производства компании ROHM предназначен для работы в цепях с напряжением до 50 В и способен коммутировать ток до 0,1 А. Характерной особенностью является встроенная схема защиты, обеспечивающая повышенную устойчивость к помехам и перегрузкам.
При проектировании печатной платы рекомендуется соблюдать минимальные зазоры между проводниками и корпусом транзистора, чтобы избежать паразитных связей и повышения уровня шумов. Также следует уделить внимание правильной трассировке сигнальных линий, минимизируя их длину и избегая пересечения с силовыми дорожками, что позволит снизить влияние электромагнитных помех на работу устройства.
| Корпус | SMD/SMT |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Постоянный ток коллектора | -50 mA |
| Номинальный ток | -50 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 1.1 mm |
| hFE (мин.) | 68 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Частота перехода | 250 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -50 V |
| Ширина | 1.6 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRFR9024PbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал
- IRFU9110PBF
- IRL3302