IRF5210S — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF5210S |
| Производитель: | International Rectifier |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013473 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
Транзистор IRF5210S представляет собой P-канальный HEXFET MOSFET с максимальным обратным напряжением сток-исток до -100 В. Корпус D2PAK обеспечивает хорошую теплоотдачу и подходит для монтажа на печатную плату. Компонент предназначен для использования в цепях с высокими требованиями к напряжению и току.
При подборе аналога данного транзистора необходимо учитывать не только напряжение сток-исток, но и такие параметры, как сопротивление канала в открытом состоянии, максимальный ток стока и емкость затвора. Также важно обратить внимание на совместимость корпуса и расположение выводов, чтобы избежать ошибок при проектировании и монтаже схемы.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 38 A |
| Номинальный ток | -40 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100 V |
| Сопротивление сток-исток | 60 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Время спада | 81 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Дата выпуска | 1996-08-14 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 86 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Время задержки выключения | 79 ns |
| Время задержки включения | 17 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -100 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Позиция есть у 9 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1