FMMT593QTA — купить, цена, наличие
| Наименование: | FMMT593QTA |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013477 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
Биполярный транзистор (BJT) типа PNP модели FMMT593QTA предназначен для использования в различных схемах усиления и переключения сигналов. Благодаря структуре PNP данный транзистор обеспечивает эффективное управление токами в цепях с положительным напряжением питания.
Конструкция транзистора FMMT593QTA предусматривает высокую устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрация и удары, что делает его подходящим для применения в условиях повышенной тряски и механических нагрузок. Компонент также обладает хорошими показателями влагостойкости, обеспечивая стабильную работу в средах с высокой влажностью и перепадами температуры.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 100 V |
| hFE (мин.) | 50 |
| Дата выпуска | 2006-12-01 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 100 V |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263