IPB090N06N3GATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IPB090N06N3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013487 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
Это мощный N-канальный транзистор типа MOSFET, рассчитанный на напряжение до 60 В и способный коммутировать токи до 50 А. Компактный корпус TO-263 обеспечивает эффективное охлаждение и возможность применения в устройствах с высокими требованиями к тепловым характеристикам.
Конструкция транзистора хорошо подходит для эксплуатации в условиях повышенной вибрации и влажности, характерных для автомобильной электроники и промышленных систем. Изолированный корпус защищает внутренние элементы от влаги и загрязнений, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне температур.
| Корпус | TO-263 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 50 A |
| Сопротивление сток-исток | 9 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Время спада | 5 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 2.9 nF |
| Дата выпуска | 2008-02-14 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 71 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 9 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 71 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 40 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 29 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- BC846ALT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC846ALT1G, NPN, лента
- BC846B транзистор — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 250 мВт, корпус SOT-23, Nexperia
- BC846B.215 — Биполярный транзистор (BJT) BC846B, NPN
- BC846BLT1G — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- BC846BLT1G /ONS/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846BLT1G, ONS, NPN
- BC846C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846C, NPN
- BC847A,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847A, NXP, NPN
- BC847ALT1G — Транзистор биполярный NPN малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 45 В, корпус SOT-23
- BC847B транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NPN
- BC847B,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN
- BC847BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента