IPB090N06N3GATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IPB090N06N3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013487 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
N-канальный MOSFET от Infineon в корпусе TO-263 для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 50 А, сопротивление открытого канала 9 мОм. Допустимое напряжение затвор-исток 20 В, входная ёмкость 2,9 нФ, время спада 5 нс. Рассеиваемая мощность до 71 Вт, рабочая температура от −55 до 175 °C. Прибор находится в серийном производстве.
Верхняя граница 175 °C позволяет ставить ключ в горячие узлы: DC-DC преобразователи, драйверы двигателей, коммутаторы нагрузки. Фактический предел, однако, задаёт теплоотвод. Металлическая площадка TO-263 соединена со стоком, её пропаивают на медный полигон, а развязку от общего радиатора делают отдельно. Пропаянная площадка надёжно держит корпус при вибрации. Пластик же набирает влагу при хранении, поэтому перед оплавлением соблюдайте правила сухого хранения или просушки.
| Корпус | TO-263 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 50 A |
| Сопротивление сток-исток | 9 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Время спада | 5 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 2.9 nF |
| Дата выпуска | 2008-02-14 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 71 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 9 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 71 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 40 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- BC848A — Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN
- BC848C — Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN
- BC849C,215 транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC860CW — Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BC860CW, PNP