BC846ALT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC846ALT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013444 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) BC846ALT1G, NPN, лента
Малосигнальный биполярный NPN-транзистор onsemi в корпусе SOT-23-3 высотой 1.11 mm, рассчитанный на ток коллектора до 100 mA. Предельные напряжения: коллектор-эмиттер (VCEO) 65 V, коллектор-база (VCBO) 80 V, эмиттер-база (VEBO) 6 V. Минимальный hFE равен 110, произведение усиления на полосу составляет 100 MHz, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 mV. Выводы покрыты оловом, компонент не содержит галогенов, соответствует China RoHS и поставляется на ленте для автоматической установки.
На плату такой транзистор ставят автоматом прямо с катушки и паяют оплавлением, лужёные выводы хорошо смачиваются бессвинцовыми пастами. Главная ловушка связана с цоколёвкой: в SOT-23 назначение выводов у разных типов может отличаться, поэтому посадочное место стоит сверить с документацией onsemi до заказа плат. Корпус мелкий и отдаёт тепло в основном через медь. В ключе на реле или светодиод при токе, близком к 100 mA, площадку коллектора лучше не урезать до минимума.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 65 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | 100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 1.11 mm |
| hFE (мин.) | 110 |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 65 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 65 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (15 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BC846B транзистор — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 250 мВт, корпус SOT-23, Nexperia
- BC846B.215 — Биполярный транзистор (BJT) BC846B, NPN
- BC846BLT1G — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- BC846BLT1G /ONS/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846BLT1G, ONS, NPN
- BC846C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846C, NPN
- BC847A,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847A, NXP, NPN
- BC847ALT1G — Транзистор биполярный NPN малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 45 В, корпус SOT-23
- BC847B транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NPN
- BC847B,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN
- BC847BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента
- BC847BS,115 — Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia
- BC847C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN