IPA60R060C7XKSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IPA60R060C7XKSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013498 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1 с N-каналом предназначен для работы в высоковольтных цепях. Его конструкция обеспечивает высокую эффективность переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии, что делает его подходящим для применения в устройствах, требующих управления большими мощностями.
Энергетика и автомобилестроение являются основными отраслями, где используются подобные транзисторы. В энергетике они применяются в инверторах и преобразователях энергии, где требуется высокая надежность и устойчивость к перегрузкам. Автомобилестроение использует их в системах управления электроприводами и зарядными устройствами, предъявляя высокие требования к температурной стабильности и долговечности.
| Корпус | TO-220-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 16 A |
| Сопротивление сток-исток | 60 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 2.85 nF |
| Дата выпуска | 2015-12-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 600 V |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 34 W |
| Мин. напряжение пробоя | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60 mΩ |
| Количество в упаковке | 500 |
| Рассеиваемая мощность | 34 W |
| Rds(on) макс. | 60 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (15 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- IRLR014NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал
- IRLTS6342TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLTS6342TRPBF, N-канал, лента
- IXBX75N170 — МОП-транзистор (IGBT) IXBX75N170, высоковольтный
- IXFK24N100Q3 IXYS — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, к…
- KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright
- KPC357NT0CTLD — Фототранзисторная оптопара Cosmo Electronics KPC357, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- MBQ50T65FESC транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) MBQ50T65FESC
- MJE13005DF — Биполярный транзистор (BJT) MJE13005DF, NPN
- MMBT3904 RFG
- MMBT3904-AQ