KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — купить, цена, наличие
| Наименование: | KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный |
| Производитель: | Kingbright |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013458 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright
Инфракрасный фототранзистор KP-3216P3C производства компании Kingbright предназначен для детектирования инфракрасного излучения длиной волны 940 нм. Корпус компонента выполнен в стандартном форм-факторе SMD 1206, что позволяет использовать его в современных печатных платах с высокой плотностью монтажа.
Фототранзисторы данного типа находят применение в различных отраслях, включая автоматизацию производственных процессов, бытовую технику, системы безопасности и автомобильную электронику. В этих сферах от компонентов требуется высокая чувствительность к инфракрасному излучению, устойчивость к внешним воздействиям и стабильность параметров в широком диапазоне температур.
| Корпус | 1206 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Темновой ток | 100 nA |
| Дата выпуска | 1999-05-04 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 85 °C |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Число цепей | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Полярность | NPN |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Форма | прямоугольный |
| Угол обзора | 120 ° |
| Длина волны | 940 nm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (40 стр.) |
Позиция есть у 6 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
- DTC114EKAT146 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…