DTC114EKAT146 — купить, цена, наличие
| Наименование: | DTC114EKAT146 |
| Производитель: | ROHM |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013416 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
Транзисторная сборка DTC114EKAT146 представляет собой комбинацию транзистора типа NPN и встроенных резисторов. Данный компонент является готовым решением для построения усилительных каскадов и логических элементов, обеспечивая высокую степень интеграции и упрощение проектирования печатных плат. Встроенные резисторы оптимизированы для работы с транзистором, что позволяет снизить количество дискретных компонентов в схеме и повысить надежность изделия.
Такая конструкция особенно полезна в схемах, где требуется высокая плотность монтажа и минимизация количества компонентов. Например, подобные сборки часто применяются в усилителях звуковой частоты, логических драйверах и буферных каскадах. С точки зрения расчёта схемы, важным моментом является согласование параметров встроенных резисторов с рабочей точкой транзистора, что обеспечивает стабильный режим работы и снижает влияние внешних факторов.
| Корпус | SMD/SMT |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Постоянный ток коллектора | 50 mA |
| Номинальный ток | 50 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Произведение усиления на полосу | 250 MHz |
| Высота | 1.3 mm |
| hFE (мин.) | 30 |
| Дата выпуска | 1994-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Частота перехода | 250 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Ширина | 1.6 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT3G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…