SS8050 Y1 — купить, цена, наличие

Биполярный NPN-транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитанный на ток коллектора до 1,5 А при напряжении коллектор-эмиттер до 25 В. Максимальная мощность рассеяния 500 мВт, частота перехода 100 МГц. Коэффициент усиления hFE не ниже 40 при 800 мА и 1 В, насыщение Vce не более 0,5 В при Ic 800 мА и Ib 80 мА. Ток отсечки ICBO до 100 нА, температура перехода от −55 до 150 °C.

В реальной схеме ключа такой транзистор греется сильнее, чем кажется по паспорту. Крошечный SOT-23 отдаёт тепло в основном через выводы в медь платы, поэтому без развитого полигона под коллектором 500 мВт не снять, и кристалл быстро подходит к предельной температуре. При нагреве растёт ток утечки, а усиление дрейфует, так что в линейных каскадах рабочая точка «уползает». Для ключевого режима закладывайте форсированный базовый ток, как в условиях измерения насыщения, иначе транзистор выйдет в активную область и перегреется. Долговременная деградация обычно связана не с самим кристаллом, а с термоциклированием паек и работой у предела по температуре перехода. При управлении реле и обмотками без обратного диода выброс самоиндукции легко превышает 25 В и пробивает переход.