MMSS8050L-TP — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMSS8050L-TP |
| Производитель: | MCC (Micro Commercial Components) |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 012932 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050L, NPN, лента
Биполярный транзистор MMSS8050L-TP относится к категории NPN и поставляется в виде ленты. Этот компонент предназначен для использования в схемах, требующих усиления сигнала или коммутации электрических цепей. Характеристики транзистора соответствуют стандартным параметрам для подобных устройств, обеспечивая стабильную работу в заданных режимах.
В отличие от полевых транзисторов, которые управляются напряжением, биполярные транзисторы, такие как MMSS8050L-TP, управляются током. Это делает их более подходящими для приложений, где требуется высокая скорость переключения и низкое энергопотребление. НPN транзисторы часто используются в схемах усилителей, генераторов и логических элементов, особенно там, где необходимо обеспечить эффективное усиление отрицательных полупериодов сигнала.
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 1.5 A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 25 V |
| Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Ток отсечки коллектора (Макс.) | 100nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 625 mW |
| Частота перехода | 100MHz |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус/Упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус устройства поставщика | SOT-23 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- NTH4L013N120M3S — Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
- OR-3H7B-TP-G — Фототранзисторная оптопара Orient, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- OR-3H7C-TP-G — Оптопара Orient с фототранзисторным выходом, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- PC120 оптопара транзисторная — Оптопара Sharp PC120 с транзисторным выходом, изоляция 5000 В
- PDTC144EU.115 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами PDTC144EU, NPN
- PMBT3904,215 — Биполярный транзистор (BJT) PMBT3904, NPN
- PZTA42T1G — Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
- S8050 Транзистор — Биполярный транзистор (BJT) S8050, NPN
- SCT015W120G3-4AG — Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
- Si4420DY — МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал
- SI7129DN-T1-GE3 — МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…