STMicroelectronics SCT015W120G3-4AG — купить, цена, наличие
| Наименование: | STMicroelectronics SCT015W120G3-4AG |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 014367 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
Транзистор STMicroelectronics SCT015W120G3-4AG выполнен по технологии SiC MOSFET и соответствует стандарту AEC-Q101. Он имеет одинарную структуру с каналом n-типа, рассчитан на рабочий ток до 129 А и напряжение до 1,2 кВ. Сопротивление канала составляет всего 0,02 Ом, что обеспечивает низкое энергопотребление и эффективное охлаждение. Корпус HiP247 удобен для поверхностного монтажа и обеспечивает надёжное соединение с платой.
Компонент предназначен для работы в условиях повышенной вибрации, характерной для автомобильной электроники, а также устойчив к воздействию влажности и перепадов температуры. Благодаря использованию карбида кремния, транзистор обладает высокой термической стабильностью и способен выдерживать экстремальные температурные режимы, сохраняя при этом высокую эффективность и надёжность.
| Тип МОП-транзистора | N-канальный |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 129A (Tc) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 17.5mOhm @ 60A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 10mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 167 nC @ 18 V |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3512 pF @ 800 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 673W (Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Категория качества | Автомобильный |
| Сертификация | AEC-Q101 |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Корпус устройства поставщика | TO-247-4 |
| Корпус/Упаковка | TO-247-4 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT3G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…