onsemi NTH4L013N120M3S — купить, цена, наличие

MPN NTH4L013N120M3S · onsemi
Наименование:onsemi NTH4L013N120M3S
Производитель:onsemi
Категория:Транзисторы
Артикул:014365
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Транзистор onsemi NTH4L013N120M3S выполнен на основе технологии EliteSiC, что обеспечивает высокую эффективность и надежность. Он относится к классу SiC MOSFET, имеет канал n-типа, корпус типа TO-247. Характеристики транзистора включают максимальный ток стока 151 А, максимальное напряжение сток-исток 1,2 кВ и сопротивление канала в открытом состоянии 0,02 Ом.

В эксплуатации данный транзистор демонстрирует хорошие показатели по тепловыделению благодаря низкому сопротивлению открытого канала. С течением времени и при повышенных температурах эксплуатации может наблюдаться незначительная деградация параметров, однако технология EliteSiC минимизирует этот эффект, обеспечивая стабильную работу устройства в течение длительного срока службы.

Тип МОП-транзистораN-канальный
ТехнологияSiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss)1200 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C151A (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)18V
Rds On (макс.) при Id, Vgs20mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id4.4V @ 37mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs254 nC @ 18 V
Vgs (макс.)+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds5813 pF @ 800 V
Мощность рассеивания (макс.)682W (Tc)
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Корпус устройства поставщикаTO-247-4
Корпус/УпаковкаTO-247-4
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Транзисторы

Все товары категории «Транзисторы»