IXBX75N170 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXBX75N170 |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013375 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (IGBT) IXBX75N170, высоковольтный
IXBX75N170 — это высоковольтный МОП-транзистор (IGBT), предназначенный для работы в цепях с высокими напряжениями. Его ключевое преимущество — способность выдерживать значительные напряжения без существенного увеличения размеров и веса устройства. Компонент характеризуется высокой эффективностью переключения и низким уровнем потерь энергии при работе.
В реальных условиях эксплуатации IXBX75N170 демонстрирует умеренный нагрев при номинальных режимах работы. С течением времени возможны незначительные изменения параметров транзистора, связанные с естественным старением полупроводникового материала. Однако благодаря высокому качеству изготовления деградация параметров минимальна и не оказывает значительного влияния на общую надёжность устройства.
| Корпус | TO-247-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Collector Base Breakdown Voltage (VCES) | 1.7 kV |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1.7 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.1 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.7 kV |
| Постоянный ток коллектора | 200 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 25.66 mm |
| Дата выпуска | 2009-07-02 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 200 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.04 kW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 1.04 kW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 1.5 µs |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 260 ns |
| Время задержки включения | 46 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
- IPB110N20N3LFATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRFR9024PbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал