IRF7842 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7842 |
| Производитель: | International Rectifier |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013488 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
IRF7842 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор серии HEXFET от компании International Rectifier, выполненный в корпусе SO-8. Он рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 40 В, что делает его подходящим для управления средними напряжениями и силовыми цепями.
Применяется в автомобильной промышленности, бытовой технике, источниках питания и инверторах. Здесь требуются высокая эффективность, низкое сопротивление открытого канала и устойчивость к кратковременным перегрузкам. В автомобильной электронике особенно важны стойкость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур.
| Корпус | SOIC |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Номинальный ток | 18 A |
| Сопротивление сток-исток | 5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Дата выпуска | 2004-04-26 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Дата последней закупки (LTB) | 2012-12-28 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2013-06-28 |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 40 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Россыпь |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 12 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 40 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (2 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Позиция есть у 3 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- Si4420DY — МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал
- SI7129DN-T1-GE3 — МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT3G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1