IRF7853TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7853TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013486 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
IRF7853TRPBF — это мощный N-канальный транзистор типа HEXFET производства Infineon, выполненный в корпусе SOIC-8. Он рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и обладает низким сопротивлением открытого канала всего 18 мОм, что делает его подходящим для приложений, требующих высокой эффективности и низкого тепловыделения.
В схемах управления электропитанием и силовыми цепями этот транзистор выполняет роль ключа или усилителя сигнала. Низкое сопротивление канала минимизирует потери мощности и нагрев, что особенно важно в импульсных источниках питания, инверторах и драйверах электродвигателей. С точки зрения расчёта, ключевой характеристикой является сопротивление канала, которое напрямую влияет на потери мощности и эффективность системы.
| Корпус | SOIC |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 8.3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 18 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Время спада | 6 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 1.64 nF |
| Дата выпуска | 2006-01-05 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 18 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 18 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 18 MΩ |
| Время нарастания | 6.6 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 26 ns |
| Время задержки включения | 13 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 34 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- SMMBT3904LT3G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус