IRF7862PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7862PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013491 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
IRF7862PBF — это сдвоенный мощный MOSFET транзистор, предназначенный для работы в цепях с высоким током и напряжением. Компонент выполнен в удобном корпусе для поверхностного монтажа, обеспечивая компактность и надежность конструкции. Благодаря своим характеристикам, он широко используется в схемах, требующих управления большими мощностями.
При использовании сдвоенных MOSFET важно правильно согласовать работу обоих транзисторов в составе микросхемы. Один из распространённых просчётов — это недостаточное внимание к управлению затворами, что может привести к асимметричному включению транзисторов и, как следствие, перегреву одного из них. Это, в свою очередь, может вызвать выход из строя всего устройства.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 21 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 3.7 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 11 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 4.09 nF |
| Дата выпуска | 2007-03-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2016-11-16 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2017-05-16 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.35 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3.3 mΩ |
| Количество в упаковке | 3800 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 3.7 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 26 ns |
| Сопротивление | 3.3 MΩ |
| Время нарастания | 19 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 5.4 V |
| Время задержки выключения | 18 ns |
| Время задержки включения | 16 ns |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- BCP69T1G транзистор ON Semiconductor — Биполярный транзистор (BJT) BCP69T1G, ON Semiconductor
- BCR141WH6327 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами NPN, 50 В, ток 100 мА, автомобильное испол…
- BCV72 — Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BCV72, NPN
- BCW60C — Биполярный транзистор (BJT) BCW60C, PNP
- BCX53-16 SOT89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX53-16, корпус SOT89
- BCX56TA — Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1