IRF7862PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7862PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013491 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
Одиночный МОП-транзистор в корпусе SOIC, рассчитанный на напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока до 21 А. Сопротивление открытого канала всего 3,7 мОм, поэтому потери проводимости на больших токах остаются малыми. Предельное напряжение затвор-исток составляет 20 В, входная ёмкость 4,09 нФ, время спада 11 нс. Длина корпуса 5 мм, высота 1,5 мм, исполнение без свинца, соответствует China RoHS. Прибор выпущен в 2007 году и снят с производства.
Такие низковольтные ключи с малым сопротивлением канала обычно ставят в синхронные понижающие преобразователи и в цепи коммутации нагрузки на низковольтных шинах. Типичная ошибка состоит в том, чтобы управлять затвором напрямую с вывода микроконтроллера. Слабый ток медленно заряжает входную ёмкость, фронты затягиваются, транзистор долго находится в линейной области и греется гораздо сильнее, чем позволяет ожидать его низкое сопротивление. Поэтому ему нужен драйвер затвора, а для новых разработок стоит сразу подобрать актуальную замену.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 21 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 3.7 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 11 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 4.09 nF |
| Дата выпуска | 2007-03-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2016-11-16 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2017-05-16 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.35 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3.3 mΩ |
| Количество в упаковке | 3800 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 3.7 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 26 ns |
| Сопротивление | 3.3 MΩ |
| Время нарастания | 19 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 5.4 V |
| Время задержки выключения | 18 ns |
| Время задержки включения | 16 ns |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- MMBT3904LP-7B
- MMBT3904LT1G — Биполярный транзистор (BJT) MMBT3904LT1G, NPN, лента
- MMBT3904LT1G.
- MMBT3904LT1HTSA1
- MMBT3904LT3G
- MMBT3904M 1N
- MMBT3904Q-7-F