BCR141WH6327 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BCR141WH6327 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013413 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Цифровой транзистор со встроенными резисторами NPN, 50 В, ток 100 мА, автомобильное исполнение, корпус SOT-323
Цифровой транзистор со встроенными резисторами типа NPN, предназначенный для автомобильной электроники, выполнен в корпусе SOT-323. Он обладает номинальным напряжением коллектор-эмиттер до 50 В и способен пропускать постоянный ток до 100 мА. Встроенные резисторы упрощают схемотехнические решения, снижая количество дискретных компонентов и повышая надежность схемы.
При подборе аналога данного транзистора рекомендуется учитывать такие параметры, как напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, наличие встроенных резисторов и их номиналы, а также устойчивость к вибрациям и температурным колебаниям, характерным для автомобильной среды. Корпус SOT-323 имеет строгие требования к монтажу, поэтому важно убедиться в совместимости печатной платы и оборудования для поверхностного монтажа.
| Корпус | SOT |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 10 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Без галогенов | Без галогенов |
| hFE (мин.) | 50 |
| Input Resistance | 22 kΩ |
| Дата выпуска | 2011-09-22 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2015-10-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2016-10-15 |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 130 MHz |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(UMW)
- FDS4435BZ(XBLW)