BFN26E6327HTSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BFN26E6327HTSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013440 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
BFN26E6327HTSA1 — высокочастотный транзистор, предназначенный для работы в радиочастотных цепях. Компонент характеризуется высокой линейностью и низким уровнем шумов, что делает его подходящим для применения в ответственных узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Используется в усилителях мощности, смесителях, генераторах сигналов и модуляторах. В усилителях мощности обеспечивает высокий КПД и минимальные искажения сигнала. В смесителях используется для эффективного преобразования частоты входного сигнала. В генераторах и модуляторах благодаря низкому уровню шума и высокой стабильности параметров обеспечивает стабильную работу и высокую точность передаваемого сигнала.
| Корпус | SOT |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 300 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 300 V |
| Постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Номинальный ток | 200 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 70 MHz |
| Без галогенов | Содержит галогены |
| Высота | 900 µm |
| hFE (мин.) | 30 |
| Дата выпуска | 1987-05-26 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2019-12-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-12-31 |
| Макс. напряжение пробоя | 300 V |
| Макс. ток коллектора | 200 mA |
| Максимальная частота | 70 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 360 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 360 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 70 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 300 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
- IPB110N20N3LFATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента