International Rectifier IRF3205STRR — купить, цена, наличие
| Наименование: | International Rectifier IRF3205STRR |
| Производитель: | International Rectifier |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 004917 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
IRF3205STRR — мощнейший транзистор типа HEXFET с каналом n-типа, заключённый в корпус D2PAK. Этот полупроводниковый прибор обладает напряжением сток-исток до 55 В, номинальным током 110 А и сопротивлением канала всего 8 мОм, что делает его подходящим для работы в условиях высоких нагрузок. Минимальная температура эксплуатации составляет -55 °C, максимальная — +175 °C, а максимальная рассеиваемая мощность достигает 200 Вт.
Компонент востребован в автомобильной промышленности благодаря устойчивости к экстремальным температурам и высоким нагрузкам. В промышленном оборудовании и источниках питания он используется из-за низкого сопротивления канала и способности выдерживать большие токи. В телекоммуникационном оборудовании ценится за компактность и эффективность, а также за возможность поверхностного монтажа, упрощающего автоматизацию сборки.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 75 A |
| Номинальный ток | 110 A |
| Сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 3.247 nF |
| Дата выпуска | 1995-11-01 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Rds(on) макс. | 8 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 101 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 55 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003ALM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003AM/TR — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16
- ULN2003AMT/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпу…
- ULN2003APG(C.N.HZA — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003APG
- Крепеж-для-транзисторов-П213-П217(фланец) — Радиатор-крепление для транзисторов серии П213-П217 (фланцевое)
- ПК-27 транзистор БСИТ 500В 18А — Транзистор биполярный статической индукции (БСИТ) ПК-27, напряжение 500 В, ток 18 А