MMUN2113LT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMUN2113LT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013399 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы делителя 47 кОм
Цифровой транзистор со встроенными резисторами MMUN2113LT1G от компании onsemi выполнен по технологии PNP с максимальным напряжением коллектора до 50 В и током коллектора до 100 мА. Внутренние резисторы делителя имеют номинал 47 кОм, обеспечивая удобное подключение к цифровым логическим уровням. Компонент оптимизирован для использования в цепях управления и согласования уровней напряжения.
При проектировании печатной платы рекомендуется размещать транзистор вблизи от сигнальных линий, чтобы минимизировать паразитные индуктивности и ёмкости. При трассировке дорожек следует учитывать, что короткие и толстые соединения помогут снизить шум и обеспечить стабильную работу схемы. Также стоит уделить внимание правильной разводке земляных полигонов для уменьшения помех и повышения устойчивости к электромагнитным воздействиям.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 940 µm |
| hFE (мин.) | 80 |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 246 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Номинальное напряжение (DC) | -50 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRLL024NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- IRLR014NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал
- IRLTS6342TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLTS6342TRPBF, N-канал, лента
- IXBX75N170 — МОП-транзистор (IGBT) IXBX75N170, высоковольтный
- IXFK24N100Q3 IXYS — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, к…
- KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright
- KPC357NT0CTLD — Фототранзисторная оптопара Cosmo Electronics KPC357, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4