MMUN2113LT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMUN2113LT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013399 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы делителя 47 кОм
Цифровой транзистор со встроенными резисторами MMUN2113LT1G от компании onsemi выполнен по технологии PNP с максимальным напряжением коллектора до 50 В и током коллектора до 100 мА. Внутренние резисторы делителя имеют номинал 47 кОм, обеспечивая удобное подключение к цифровым логическим уровням. Компонент оптимизирован для использования в цепях управления и согласования уровней напряжения.
При проектировании печатной платы рекомендуется размещать транзистор вблизи от сигнальных линий, чтобы минимизировать паразитные индуктивности и ёмкости. При трассировке дорожек следует учитывать, что короткие и толстые соединения помогут снизить шум и обеспечить стабильную работу схемы. Также стоит уделить внимание правильной разводке земляных полигонов для уменьшения помех и повышения устойчивости к электромагнитным воздействиям.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 940 µm |
| hFE (мин.) | 80 |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 246 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Номинальное напряжение (DC) | -50 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Позиция есть у 29 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- MRF587 — РЧ-транзистор MRF587
- MRFE6S9045NR1 — РЧ-транзистор (LDMOS) MRFE6S9045NR1
- MUN5335DW1T1G — Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя NPN/PNP, 50 В, ток 100 мА, резист…
- NTH4L013N120M3S — Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
- OR-3H7B-TP-G — Фототранзисторная оптопара Orient, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- OR-3H7C-TP-G — Оптопара Orient с фототранзисторным выходом, изоляция 3.75 кВ, корпус SOP-4
- PC120 оптопара транзисторная — Оптопара Sharp PC120 с транзисторным выходом, изоляция 5000 В
- PDTC144EU.115 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами PDTC144EU, NPN
- PZTA42T1G — Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
- S8050 Транзистор — Биполярный транзистор (BJT) S8050, PNP
- SCT015W120G3-4AG — Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
- Si4420DY — МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал