MUN5335DW1T1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | MUN5335DW1T1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013455 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя NPN/PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы 2,2 кОм, корпус SOT-363
Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя на основе структуры NPN/PNP, рассчитанный на рабочее напряжение до 50 В и ток до 100 мА. Резисторы имеют номинал 2,2 кОм, корпус исполнения — компактный SOT-363, подходящий для поверхностного монтажа.
В процессе эксплуатации данный транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики благодаря сбалансированной структуре NPN/PNP. При соблюдении условий эксплуатации нагрев элемента незначителен, что позволяет использовать его без дополнительного теплоотвода. Со временем параметры транзистора остаются достаточно стабильными, однако стоит учитывать возможные изменения характеристик резисторов из-за старения материалов, особенно при повышенных температурах окружающей среды.
| Корпус | SOT-363-6 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Номинальный ток | 100 mA |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| hFE (мин.) | 80 |
| Дата выпуска | 1999-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 385 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN, PNP |
| Рассеиваемая мощность | 187 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (35 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (34 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
- DTC114EKAT146 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085