MUN5335DW1T1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | MUN5335DW1T1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013455 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя NPN/PNP, 50 В, ток 100 мА, резисторы 2,2 кОм, корпус SOT-363
Сдвоенный транзистор с встроенными резисторами делителя на основе структуры NPN/PNP, рассчитанный на рабочее напряжение до 50 В и ток до 100 мА. Резисторы имеют номинал 2,2 кОм, корпус исполнения — компактный SOT-363, подходящий для поверхностного монтажа.
В процессе эксплуатации данный транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики благодаря сбалансированной структуре NPN/PNP. При соблюдении условий эксплуатации нагрев элемента незначителен, что позволяет использовать его без дополнительного теплоотвода. Со временем параметры транзистора остаются достаточно стабильными, однако стоит учитывать возможные изменения характеристик резисторов из-за старения материалов, особенно при повышенных температурах окружающей среды.
| Корпус | SOT-363-6 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Номинальный ток | 100 mA |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| hFE (мин.) | 80 |
| Дата выпуска | 1999-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 50 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 100 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 385 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Рабочее напряжение питания | 50 V |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN, PNP |
| Рассеиваемая мощность | 187 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (35 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (34 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 32 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1